Мощный СВЧ-усилитель и приемо-передающий чип от компании OMMIC Ка-диапазона частот

В статье представлены две монолитные интегральные схемы (МИС), разработанные и изготовленные с помощью 100-нм технологического процесса D01GH от компании OMMIC, основанного на нитриде галлия на кремнии. Первая МИС — это 29–33 ГГц усилитель мощности с импульсной мощностью 10 Вт и средней мощностью 8 Вт. Вторая МИС представляет собой 26–34-ГГц приемо-передающий чип, включающий малошумящий усилите...

Проектирование усилителей мощности на основе нитрида галлия на кремнии (GaN/Si) с использованием технологии компании OMMIC

В статье рассматриваются результаты проектирования и испытаний МИС СВЧ усилителя мощности, работающего на частотах около 40 ГГц и изготовленного с использованием нитрида галлия на кремнии с шириной затвора 100 нм. Представленный в статье усилитель работает в Ku-диапазоне с обеспечением усиления 20 дБ, выходной мощности 14 Вт при компрессии 4,5 дБ и КПД до 30%. Такая величина выходной мощности д...

Малогабаритные твердотельные СВЧ-усилители производства UWB TECH

В статье представлена высококачественная продукция южнокорейской компании UWB TECH — широкополосные, узкополосные и импульсные твердотельные СВЧ-усилители мощности, предназначенные для систем связи, промышленного, научного и медицинского оборудования. Эти приборы имеют ряд конкурентных преимуществ, что делает их привлекательным выбором для российских заказчиков.

Гетероструктуры на основе нитрида галлия (GaN) и технологии компании OMMIC на их основе

Развитие техники, увеличение требований заказчиков к техническим характеристикам изделий и общемировые тенденции делают крайне необходимым развитие технологий по выращиванию гетероструктур на основе нитрида галлия. В статье рассматриваются преимущества применения этих технологий в современных СВЧ-приборах, области применения, перспективы и тенденции дальнейшего совершенствования этих гетеростру...