Разработка GаN-транзисторов

АО «НИИЭТ» разработал и серийно поставляет ряд мощных СВЧ-транзисторов и ГИС на основе нитрид-галлиевых гетероструктур с высокой подвижностью электронов. Номенклатура созданных изделий имеет выходную мощность 0,12–400 Вт и перекрывает частотный диапазон 0,03–12 ГГц. На этапе освоения производства находится линейка силовых транзисторов с напряжением сток-исток 100, 200 и 650 В.