СВЧ усилитель мощности L-диапазона на отечественных GaN HEMT полевых транзисторах

В статье рассматривается расчет и практическая реализация СВЧ-усилителя мощности L диапазона на отечественных GaN HEMT-транзисторах АО НИИЭТ, г. Воронеж. Приводятся расчетные и экспериментальные характеристики разработанного усилителя. Даны рекомендации по применению разработанного усилителя в радарных системах L диапазона.

Построение приемного тракта на базе микросхемы TE-RX1000

В статье рассматривается построение приемных трактов на современных однокристальных системах, рассчитываются их характеристики, приведено сравнение по основным параметрам.