Радиочастотные транзисторы GaN на кремнии взяли лучшее из двух технологий
Благодаря возможности использовать технологические процессы и большие пластины, стандартные для полупроводников, технология нитрида галлия (GaN) на кремнии (Si), предназначенная для изготовления высокочастотных транзисторов, не только предусматривает значительную экономию при производстве, но и сочетает конкурентные преимущества обеих технологий. В этой статье, представленной в виде авторского ...