Применение тонких пленок оксида алюминия в технологическом процессе изготовления МИС СВЧ на основе GaN

Внедрение новых конструкторско-технологических решений в производство СВЧ МИС требует всестороннего анализа результатов новых технологических процессов. В этой статье рассматривается анализ пленок оксида алюминия с целью внедрения в технологический процесс изготовления МИС СВЧ.

Особенности изготовления СВЧ МИС с применением фотолака при формировании заземляющей плоскости над активной поверхностью кристалла

Статья посвящена решению задачи формирования заземляющей плоскости в СВЧ МИС на основе GaN на подложках сапфира. Предложено технологическое решение формирования заземляющей плоскости с использованием отечественного аналога полиимида над активной частью МИС. Проведены результаты испытаний изготовленных приборов.