Разработка GаN-транзисторов

АО «НИИЭТ» разработал и серийно поставляет ряд мощных СВЧ-транзисторов и ГИС на основе нитрид-галлиевых гетероструктур с высокой подвижностью электронов. Номенклатура созданных изделий имеет выходную мощность 0,12–400 Вт и перекрывает частотный диапазон 0,03–12 ГГц. На этапе освоения производства находится линейка силовых транзисторов с напряжением сток-исток 100, 200 и 650 В.

Широкополосные модули усилителей мощности типа Pallet S‑диапазона

В статье рассматриваются схемотехнические и конструктивные особенности модулей усилителей мощности типа Pallet с выходной мощностью 80 и 300 Вт в полосе частот 2,7–3,1 ГГц.

Мощные GaN-транзисторы для L- и S-диапазонов частот

В статье представлены основные технические характеристики разработанных мощных нитрид- галлиевых транзисторов с рабочим напряжением питания 28 В для L- и S-диапазонов частот, а также технические характеристики широкополосного усилительного паллета на основе GaN-транзистора ПП9137А. Нитрид- галлиевые транзисторы обеспечивают высокие значения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полез...