600- и 1200-Вт СВЧ GaN-транзисторы L-диапазона частот от компании АО «ПКК Миландр»

В статье приведены результаты измерения 600 и 1200 Вт GaN-транзисторов в L диапазоне частот производства АО «ПКК Миландр». В настоящий момент это одни из самых мощных СВЧ GaN-транзисторов, работающих в данном частотном диапазоне. Создание подобных транзисторов является существенным шагом вперед для отечественных компаний. Также в статье представлены перспективные разработки АО «ПКК Миландр» в ...

Мощные GaN-транзисторы для L- и S-диапазонов частот

В статье представлены основные технические характеристики разработанных мощных нитрид- галлиевых транзисторов с рабочим напряжением питания 28 В для L- и S-диапазонов частот, а также технические характеристики широкополосного усилительного паллета на основе GaN-транзистора ПП9137А. Нитрид- галлиевые транзисторы обеспечивают высокие значения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полез...

Мощные GAN СВЧ-транзисторы для применения в перспективных системах связи и радиолокации

Мощные нитрид-галлиевые СВЧ-транзисторы становятся все более востребованными в качестве современной элементной компонентной базы для применения в перспективных системах связи и радиолокации. В статье представлены результаты моделирования и измерения отечественных нитрид-галлиевых транзисторов. При создании структур кристаллов этих мощных полупроводниковых приборов были проработаны различные кон...