Улучшенная модель биполярного транзистора с гетеропереходом по технологии InP от Keysight Technologies
Точная и гибкая модель для режима большого сигнала, основанная на анализе характеристик биполярных транзисторов c гетеропереходом (HBT) на базе фосфида индия (InP) была реализована в САПР ADS в виде семипортового устройства с символьным определением (SDD). Усовершенствованная модель от Keysight Technologies позволяет избежать ошибочного вклада времени прохождения носителей из внутренней области...