Что нужно учитывать при конструировании печатных плат с цепями, предназначенными для диапазона крайне высоких частот (КВЧ)? В статье речь пойдет об основных вопросах конструирования и предлагается несколько советов и рекомендаций, чтобы помочь специалистам наиболее полно использовать характеристики высококачественных КВЧ-фильтров, монтируемых на плату.

Представлены результаты разработки и изготовления СВЧ-модуля, выполняющего функции малошумящего усилителя с отключением усиления в диапазоне рабочих частот 1,0–4,0 ГГц. В состав модуля входят МИС дискретно-управляемого переключателя, драйвера управления и малошумящего усилителя. Получены СВЧ-характеристики и параметры изделия, подтверждающие возможность использования данных модулей в разработке...

В рамках проекта ZhuyaoConnectors.PRO российским предприятиям предлагается продукция фирмы Zhuyao Connectors. Эта компания — один из ведущих производителей профессиональных разъемов для различных применений. Главные преимущества продукции этой фирмы — надежность и возможность заменить ею разъемы из «недружественных стран» от фирм Amphenol, Samtec, ITT, Molex, Bourns, TE, Mini-Circuits, Glenair и др. В каталоге продукции Zhuyao Connectors представлены следующие типы разъемов: цилиндрические разъемы MIL-DTL-38999 серии III; разъемы, соответствующие спецификации EN2997: ...

17 января 2018 года компания Peregrine Semiconductor, которой уже было посвящено несколько публикаций [1–5], объявила о смене своего названия на pSemi Corporation. Смена названия совпала с двумя знаковыми событиями: 30-летием продвижения технологии КНС (UltraCMOS) и выпуском 4-миллиардного чипа. Диапазон продукции компании расширился. Теперь он включает оптические приемопередатчики, микросхемы ... Журнал "Компоненты и технологии" №9-2018

В статье представлен усилитель мощности (УМ) К-диапазона с высокой линейностью и превосходной температурной стабильностью, выполненный на полевых транзисторах технологии КНИ КМОП с подложкой trap-rich. Для повышения выходной мощности, эффективности добавленной мощности (PAE) УМ использует МОП-транзисторы двухуровневой архитектуры и согласующие схемы копланарных волноводов с низкими потерями. УМ...

Специалисты АО «НИИЭТ» (входит в ГК «Элемент») работают над созданием серии из пяти мощных импульсных СВЧ LDMOS-транзисторов, оптимизированных для функционирования в определенном диапазоне частот, характерном для конкретной системы авиационного бортового оборудования. В основе — новейшая отечественная LDMOS-технология, использующая все достижения отечественной микроэлектроники в данной области за последние годы и отработанная в ходе выполнения проводимых за счет собственных средств НИР и реализации комплексного проекта, субсидированного из федерального бюджета. Мощный импульсный ...

В условиях быстрых изменений на российском рынке электронных компонентов существенное значение имеет взаимодействие с зарубежными компаниями, нацеленными на стабильное сотрудничество с российскими партнерами. В данном материале кратко описана продукция компании KVG, выпускающей компоненты на основе кварцевых резонаторов. Журнал "Компоненты и технологии №07-2018

В четвертой части публикации рассматриваются подсистемы преобразователей частоты с повышением частоты и понижением входной частоты, которые выполняются в виде отдельных конструктивных блоков и выпускаются в разных конфигурациях и форм-факторах, определяемых потребителями. Приведена условная классификация таких подсистем. Журнал "Компоненты и технологии" №7-2018

Компания Hisiwell (КНР) предлагает доступную альтернативу известным на рынке производителям кремниевых LDMOS-транзисторов в герметичных металлокерамических корпусах. В программе поставок продукции Hisiwell доступны транзисторы для различных диапазонов: 0,7–1 ГГц; 0,7–2,2 ГГц; 915 МГц; 0,96–1,2 ГГц; 1,2–1,6 ГГц; 2,7–3,1 ГГц; 3,4–3,6 ГГц и мощностью до 2,5 кВт. Возможны различные конфигурации транзисторов — два в едином корпусе, а также реализованные по схеме Догерти. Данная продукция востребована теми заказчиками, которые в силу ряда обстоятельств не могут перейти в выпуске своей ...

Благодаря возможности использовать технологические процессы и большие пластины, стандартные для полупроводников, технология нитрида галлия (GaN) на кремнии (Si), предназначенная для изготовления высокочастотных транзисторов, не только предусматривает значительную экономию при производстве, но и сочетает конкурентные преимущества обеих технологий. В этой статье, представленной в виде авторского ...