Компания Qatron анонсировала усилитель мощности Ku-диапазона — QA1315-P49. Данная микросхема обеспечивает выходную мощность на уровне 80 Вт и усиление не менее 26 дБ в полосе частот 13–15,5 ГГц Микросхема QA1315-P49 выполнена в герметичном металлокерамическом корпусе и является полным аналогом QPM2239-CP от Qorvo. При КПД 30% QA1315-P49 может быть использована и в импульсном, и в непрерывном режимах. Характеристики усилителя мощности QA1315-P49: диапазон частот: 13–15, ГГц; выходная мощность: 80 Вт; коэффициент усиления: 27 дБ; КПД: 30%; напряжение питания: +28 В (при ...

Представлены результаты разработки и изготовления СВЧ-модуля, выполняющего функции малошумящего усилителя с отключением усиления в диапазоне рабочих частот 1,0–4,0 ГГц. В состав модуля входят МИС дискретно-управляемого переключателя, драйвера управления и малошумящего усилителя. Получены СВЧ-характеристики и параметры изделия, подтверждающие возможность использования данных модулей в разработке...

17 января 2018 года компания Peregrine Semiconductor, которой уже было посвящено несколько публикаций [1–5], объявила о смене своего названия на pSemi Corporation. Смена названия совпала с двумя знаковыми событиями: 30-летием продвижения технологии КНС (UltraCMOS) и выпуском 4-миллиардного чипа. Диапазон продукции компании расширился. Теперь он включает оптические приемопередатчики, микросхемы ... Журнал "Компоненты и технологии" №9-2018

В статье представлен усилитель мощности (УМ) К-диапазона с высокой линейностью и превосходной температурной стабильностью, выполненный на полевых транзисторах технологии КНИ КМОП с подложкой trap-rich. Для повышения выходной мощности, эффективности добавленной мощности (PAE) УМ использует МОП-транзисторы двухуровневой архитектуры и согласующие схемы копланарных волноводов с низкими потерями. УМ...

В статье описан способ улучшения характеристик малошумящих монолитных СВЧ-усилителей, аналогичных тем, что используются для дискретных транзисторных усилителей. Рассмотрен пример оптимизации МШУ на полосе 5 ГГц с целью уменьшения коэффициента шума ниже величины, приведенной в документации производителя.

Компания Elite Photoelectric Tech (КНР) выпустила 2–6-ГГц микросхему — усилитель мощности (УМ) с коэффициентом усиления 25 дБ — GN020060-P45-CF-CW. Усилитель выполнен по GaN-процессу с нормами 0,25 мкм и имеет соответствующее питание +28 В. Основные характеристики усилителя мощности: частотный диапазон: 2–6 ГГц; выходная мощность: 45 дБм; напряжение питания: 28 В; КПД: 32%; коэффициент усиления: 25 дБ; размеры корпуса: 12,7×12,7 мм. Основные области применения GN020060-P45-CF-CW: беспроводные системы связи, радары и системы РЭБ.

Компания Qorvo представила усилитель диапазона 20–40 ГГц, выполненный по технологии QGaN15 (Gan HEMT 0,15 мкм) — QPA2640D. Широкополосная микросхема обеспечивает усиление 12 дБ и выполнена в виде кристалла размером 5,8×3,5 мм. Усилитель QPA2640D — третий в семействе новинок начала 2022 года от Qorvo (QPA0106 и QPD2966D) и выполнен, как и две другие позиции, со 100%-ным тестированием по СВЧ и постоянному току. Основные применения QPA2640D: системы широкополосной связи; РЭБ; радары.

Компания Qorvo представила усилитель на 1–6 ГГц, выполненный по процессу QGaN25 (0,25 мкм), — QPA0106. Микросхема реализована в компактном корпусе 7×7 мм и имеет 100%-ную гарантию СВЧ-тестирования и проверки по постоянному току при ее производстве для обеспечения повышенной надежности. Усилитель обеспечивает выходную мощность 42,7 дБм в режиме насыщения и коэффициент усиления 24 дБ во всей используемой полосе. Основные сферы применения: радары; системы РЭБ; широкополосная связь.

Ряд журнальных публикаций прошлых лет был посвящен продукции известной компании Mini-Circuits [1–3]. Интерес читателей к этой теме сохраняется и сейчас. В настоящей статье рассказывается о новых высокочастотных усилителях, смесителях частот и аттенюаторах, не вошедших в ранее опубликованную работу [4]. Журнал "Компоненты и технологии №1-2015

В статье представлены результаты разработки малошумящих усилителей (МШУ) с мгновенной полосой частот 0,05–6,2 ГГц. МШУ построены по каскодной схеме на полевых транзисторах с барьером Шоттки (ПТШ) с диссипативными цепями согласования для достижения широкой полосы частот. Схемы реализованы в двух видах исполнения — кристалл и корпус для поверхностного монтажа (SMD). Кристаллы изготовлены по техно...