Широкополосные малошумящие усилители VHF–C-диапазона частот

В статье представлены результаты разработки малошумящих усилителей (МШУ) с мгновенной полосой частот 0,05–6,2 ГГц. МШУ построены по каскодной схеме на полевых транзисторах с барьером Шоттки (ПТШ) с диссипативными цепями согласования для достижения широкой полосы частот. Схемы реализованы в двух видах исполнения — кристалл и корпус для поверхностного монтажа (SMD). Кристаллы изготовлены по техно...

Монолитные интегральные усилители С-Х-Ku-диапазона с выходной мощностью 1,5 Вт

В статье представлены результаты разработки и практической реализации широкополосных монолитных интегральных СВЧ-усилителей диапазона частот 5–18 ГГц с выходной мощностью 1,5 Вт и 0,9 Вт. Приведены основные принципы моделирования и результаты экспериментального исследования электрических характеристик образцов.

Мощный СВЧ-усилитель и приемо-передающий чип от компании OMMIC Ка-диапазона частот

В статье представлены две монолитные интегральные схемы (МИС), разработанные и изготовленные с помощью 100-нм технологического процесса D01GH от компании OMMIC, основанного на нитриде галлия на кремнии. Первая МИС — это 29–33 ГГц усилитель мощности с импульсной мощностью 10 Вт и средней мощностью 8 Вт. Вторая МИС представляет собой 26–34-ГГц приемо-передающий чип, включающий малошумящий усилите...

Новые усилители мощности диапазона «Ka-band» производства MACOM

Американская корпорация MACOM, один из мировых лидеров в производстве комплектующих и оборудования для беспроводных, спутниковых и оптоволоконных сетей, в середине июня 2018 года объявила о выпуске нового семейства усилителей мощности для диапазона Ka-band с выходной мощностью 2; 2,3; 3; 4 и 6 Вт. Новая серия предназначена для работы в диапазонах частот 27–31,5 ГГц и может быть использована в т...

Распределенный GaN усилитель диапазона 1-8 ГГц с использованием трехпортового трансформатора

В статье описана схема и измерение характеристик усилителя мощности диапазона 1–8 ГГц, изготовленного по серийному технологическому процессу GaN 0,15 мкм. В этом процессе используется 100-мм SiC-подложка и компактное расположение транзисторов с отдельными сквозными отверстиями для истоков. Топология усилителя допускает неравномерную нагрузку c трехпортовым трансформатором на выходе. Двухкаскад...

Продукция компании Aelius Semiconductors для оптимизации систем АФАР

Активные фазированные антенные решетки (АФАР) содержат тысячи одинаковых ячеек, управляющих амплитудой и фазой СВЧ‐сигнала, именно они определяют надежность и стоимость всей антенной системы. Компания Aelius Semiconductors ведет активную работу по созданию монолитных интегральных схем, ориентированных для применения в АФАР. Высокий уровень их интеграции позволяет снизить число компонентов в яче...

Новые мощные GaN-микросхемы от Aelius на 8,5–12 ГГц

Компания Aelius Semiconductors выпустила новые СВЧ МИС (MMIC) для X-диапазона. Среди новинок оказались две СВЧ-микросхемы соответственно на 20 и 30 Вт, выполненных по технологии AlGaN/GaN. Оба компонента имеют корпус для поверхностного монтажа площадью 7×7 мм. Производство новинок нацелено на применение в составе ППМ АФАР. Ниже приведены основные параметры усилителей: ASL4055C7: Частотный диапазон: 8,5–12 ГГц. Рассеиваемая мощность (Psat): 43 дБм. КУ (Small signal Gain): 28 дБ. КПД: 35%. Напряжение на стоке (Vd): 28 В. Корпус: LCC (Безвыводный керамический) 7×7×1,5 мм. ...