В статье представлены результаты разработки и практической реализации широкополосных монолитных интегральных СВЧ-усилителей диапазона частот 5–18 ГГц с выходной мощностью 1,5 Вт и 0,9 Вт. Приведены основные принципы моделирования и результаты экспериментального исследования электрических характеристик образцов. 
В статье представлены две монолитные интегральные схемы (МИС), разработанные и изготовленные с помощью 100-нм технологического процесса D01GH от компании OMMIC, основанного на нитриде галлия на кремнии. Первая МИС — это 29–33 ГГц усилитель мощности с импульсной мощностью 10 Вт и средней мощностью 8 Вт. Вторая МИС представляет собой 26–34-ГГц приемо-передающий чип, включающий малошумящий усилите... 
Американская корпорация MACOM, один из мировых лидеров в производстве комплектующих и оборудования для беспроводных, спутниковых и оптоволоконных сетей, в середине июня 2018 года объявила о выпуске нового семейства усилителей мощности для диапазона Ka-band с выходной мощностью 2; 2,3; 3; 4 и 6 Вт. Новая серия предназначена для работы в диапазонах частот 27–31,5 ГГц и может быть использована в т... 
В статье описана схема и измерение характеристик усилителя мощности диапазона 1–8 ГГц, изготовленного по серийному технологическому процессу GaN 0,15 мкм.
В этом процессе используется 100-мм SiC-подложка и компактное расположение транзисторов с отдельными сквозными отверстиями для истоков. Топология усилителя допускает неравномерную нагрузку c трехпортовым трансформатором на выходе. Двухкаскад... 
Активные фазированные антенные решетки (АФАР) содержат тысячи одинаковых ячеек, управляющих амплитудой и фазой СВЧ‐сигнала, именно они определяют надежность и стоимость всей антенной системы. Компания Aelius Semiconductors ведет активную работу по созданию монолитных интегральных схем, ориентированных для применения в АФАР. Высокий уровень их интеграции позволяет снизить число компонентов в яче... 
Компания Aelius Semiconductors выпустила новые СВЧ МИС (MMIC) для X-диапазона. Среди новинок оказались две СВЧ-микросхемы соответственно на 20 и 30 Вт, выполненных по технологии AlGaN/GaN. Оба компонента имеют корпус для поверхностного монтажа площадью 7×7 мм. Производство новинок нацелено на применение в составе ППМ АФАР. Ниже приведены основные параметры усилителей:
ASL4055C7:
Частотный диапазон: 8,5–12 ГГц.
Рассеиваемая мощность (Psat): 43 дБм.
КУ (Small signal Gain): 28 дБ.
КПД: 35%.
Напряжение на стоке (Vd): 28 В.
Корпус: LCC (Безвыводный керамический) 7×7×1,5 мм.
... 