Распределенный GaN усилитель диапазона 1-8 ГГц с использованием трехпортового трансформатора

В статье описана схема и измерение характеристик усилителя мощности диапазона 1–8 ГГц, изготовленного по серийному технологическому процессу GaN 0,15 мкм. В этом процессе используется 100-мм SiC-подложка и компактное расположение транзисторов с отдельными сквозными отверстиями для истоков. Топология усилителя допускает неравномерную нагрузку c трехпортовым трансформатором на выходе. Двухкаскад...

Продукция компании Aelius Semiconductors для оптимизации систем АФАР

Активные фазированные антенные решетки (АФАР) содержат тысячи одинаковых ячеек, управляющих амплитудой и фазой СВЧ‐сигнала, именно они определяют надежность и стоимость всей антенной системы. Компания Aelius Semiconductors ведет активную работу по созданию монолитных интегральных схем, ориентированных для применения в АФАР. Высокий уровень их интеграции позволяет снизить число компонентов в яче...

Новые мощные GaN-микросхемы от Aelius на 8,5–12 ГГц

Компания Aelius Semiconductors выпустила новые СВЧ МИС (MMIC) для X-диапазона. Среди новинок оказались две СВЧ-микросхемы соответственно на 20 и 30 Вт, выполненных по технологии AlGaN/GaN. Оба компонента имеют корпус для поверхностного монтажа площадью 7×7 мм. Производство новинок нацелено на применение в составе ППМ АФАР. Ниже приведены основные параметры усилителей: ASL4055C7: Частотный диапазон: 8,5–12 ГГц. Рассеиваемая мощность (Psat): 43 дБм. КУ (Small signal Gain): 28 дБ. КПД: 35%. Напряжение на стоке (Vd): 28 В. Корпус: LCC (Безвыводный керамический) 7×7×1,5 мм. ...