Монолитные ИС пассивных сверхширокополосных умножителей частоты на основе диодов с барьером Шоттки
В статье представлены результаты разработки, моделирования и измерения широкополосных умножителей частоты, созданных на основе диодов с барьером Шоттки, с выходными диапазонами частот 10–26 ГГц (удвоитель), 22,5–51 ГГц (утроитель), 20–60 ГГц (удвоитель). Микросхемы реализованы на основе монолитной интегральной технологии на подложке из арсенида галлия (GaAs).