Реклама

СВЧ-компоненты

Высокомощные НЕМТ-транзисторы (HEMT) на основе нитрида галлия (GaN) S-диапазона мощностью 600 Вт и Х-диапазона мощностью 200 Вт для импульсного режима
Высокомощные НЕМТ- транзисторы на основе нитрида галлия (GaN) предназначены для радиолокационных станций (РЛС) S- и X-диапазонов. Полностью внутрисогласованные GaN НЕМТ-транзисторы S-диапазона, имеющие минимальную выходную мощность 600 Вт и минимальное усиление по мощности 12 дБ, а также КПД стока 60% в диапазоне 2,7–2,9 ГГц, предназначены для РЛС управления воздушным движением (УВД). Полностью...

25.06.2020 | СВЧ-компоненты, Транзисторы
Оставить комментарий

Комплексные решения на базе радиотрансиверов Analog Devices
Интеграция архитектуры прямого преобразования в монолитное приемопередающее устройство обеспечивает решение многих свойственных этой технологии проблем и открывает ей путь для использования в системах следующего поколения. В статье на примере двух радиотрансиверов AD9361 и AD9371 от компании Analog Devices, выполненных на КМОП-кристаллах, рассматриваются новые возможности, которые отвечают насу...

22.06.2020 | СВЧ-компоненты
Оставить комментарий

Распределенный GaN усилитель диапазона 1-8 ГГц с использованием трехпортового трансформатора
В статье описана схема и измерение характеристик усилителя мощности диапазона 1–8 ГГц, изготовленного по серийному технологическому процессу GaN 0,15 мкм. В этом процессе используется 100-мм SiC-подложка и компактное расположение транзисторов с отдельными сквозными отверстиями для истоков. Топология усилителя допускает неравномерную нагрузку c трехпортовым трансформатором на выходе. Двухкаскад...

11.06.2020 | СВЧ-компоненты, Проектирование и моделирование, Усилители
Оставить комментарий

Проволочные соединения и их характеристики на высокой частоте
В статье рассматривается влияние перемычек связи, обычно используемых в гибридных СВЧ-микросхемах и гибридных монолитных интегральных микросхемах, на параметры внутрисхемных соединений. Для достижения заданных характеристик микросхем на их рабочих частотах надо точно знать все дополнительные паразитные элементы, в частности индуктивности и сопротивления внутрисхемных проволочных перемычек. Числ...

09.06.2020 | СВЧ-компоненты
Оставить комментарий

Альтернатива использованию СВЧ монолитных интегральных схем при изготовлении приемопередающих модулей ФАР
Радиолокационные станции (РЛС) с фазированной антенной решеткой (ФАР) имеют целый ряд существенных преимуществ над традиционными радарами, в которых применяются вращающиеся антенны. Это связано с тем, что ФАР могут одновременно использовать несколько лучей, формировать нуль-диаграммы направленности (ДН) в боковом лепестке в направлении источника помех. Кроме того, ФАР имеют плоскую или конформн...

08.06.2020 | СВЧ-компоненты, Проектирование и моделирование, Транзисторы
Оставить комментарий

Многополюсные переключатели компании Peregrine Semiconductor
Фирма Peregrine Semiconductor уже более 25 лет специализируется на развитии обладающей повышенной радиационной стойкостью технологии КНС (кремний‐на‐ сапфире), которая в терминологии компании называется Ultra‐CMOS. Фирма продолжает активно развивать ассортимент выпускаемой продукции, недавно она выпустила на рынок многополюсные СВЧ‐переключатели на 6, 8 и 12 полюсов.

21.05.2020 | СВЧ-компоненты, Переключатели
Оставить комментарий

Продукция компании Aelius Semiconductors для оптимизации систем АФАР
Активные фазированные антенные решетки (АФАР) содержат тысячи одинаковых ячеек, управляющих амплитудой и фазой СВЧ‐сигнала, именно они определяют надежность и стоимость всей антенной системы. Компания Aelius Semiconductors ведет активную работу по созданию монолитных интегральных схем, ориентированных для применения в АФАР. Высокий уровень их интеграции позволяет снизить число компонентов в яче...

20.05.2020 | СВЧ-компоненты, Переключатели, Транзисторы, Аттенюаторы, Цифровой фазовращатель, Усилители
Оставить комментарий

Эволюция радиочастотных соединителей для электроники СВЧ. В поиске компромиссных решений.
Часть 2. Соединители SMP
В статье рассмотрены конструктивные и электрические параметры соединителей SMP, показано влияние коаксиальной линии соединителя на его предельную частоту и допустимую пропускаемую мощность. Рассмотрены основные направления эволюции соединителей SMP: миниатюризация, расширение диапазона рабочих частот, повышение надежности соединения вилки и розетки, увеличение допустимой пропускаемой мощности. ...

19.05.2020 | СВЧ-компоненты, Разъемы
Оставить комментарий

GaN-транзисторы MACOM для беспроводных базовых станций
Область полупроводниковой технологии, используемая для инфраструктуры беспроводной связи, претерпевает значительные изменения, и, в частности, это касается рынка усилителей мощности. Многие годы здесь доминировали транзисторы, выполненные по смещено-диффузной металл–оксид–полупроводниковой технологии на основе кремния (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor, LDMOS), с которыми сейчас в об...

15.05.2020 | СВЧ-компоненты, Транзисторы
Оставить комментарий

Мощные GaN-транзисторы для L- и S-диапазонов частот
В статье представлены основные технические характеристики разработанных мощных нитрид- галлиевых транзисторов с рабочим напряжением питания 28 В для L- и S-диапазонов частот, а также технические характеристики широкополосного усилительного паллета на основе GaN-транзистора ПП9137А. Нитрид- галлиевые транзисторы обеспечивают высокие значения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полез...

07.05.2020 | СВЧ-компоненты, Транзисторы
Оставить комментарий

Наши журналы:
© Copyright 2024 СВЧ-Электроника