СВЧ-компоненты
Область полупроводниковой технологии, используемая для инфраструктуры беспроводной связи, претерпевает значительные изменения, и, в частности, это касается рынка усилителей мощности. Многие годы здесь доминировали транзисторы, выполненные по смещено-диффузной металл–оксид–полупроводниковой технологии на основе кремния (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor, LDMOS), с которыми сейчас в об...
Мощные GaN-транзисторы для L- и S-диапазонов частот
В статье представлены основные технические характеристики разработанных мощных нитрид- галлиевых транзисторов с рабочим напряжением питания 28 В для L- и S-диапазонов частот, а также технические характеристики широкополосного усилительного паллета на основе GaN-транзистора ПП9137А. Нитрид- галлиевые транзисторы обеспечивают высокие значения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полез...
Новые мощные GaN-микросхемы от Aelius на 8,5–12 ГГц
Компания Aelius Semiconductors выпустила новые СВЧ МИС (MMIC) для X-диапазона. Среди новинок оказались две СВЧ-микросхемы соответственно на 20 и 30 Вт, выполненных по технологии AlGaN/GaN. Оба компонента имеют корпус для поверхностного монтажа площадью 7×7 мм. Производство новинок нацелено на применение в составе ППМ АФАР. Ниже приведены основные параметры усилителей:
ASL4055C7:
Частотный диапазон: 8,5–12 ГГц.
Рассеиваемая мощность (Psat): 43 дБм.
КУ (Small signal Gain): 28 дБ.
КПД: 35%.
Напряжение на стоке (Vd): 28 В.
Корпус: LCC (Безвыводный керамический) 7×7×1,5 мм.
...
Эволюция радиочастотных соединителей для электроники СВЧ. В поиске компромиссных решений.
Часть 1. Соединители SMA
В статье рассмотрены конструктивные и электрические параметры соединителей SMA. Показано влияние коаксиальной линии соединителя на его волновое сопротивление, предельную частоту и допустимую пропускаемую мощность. Рассмотрены основные направления эволюции соединителей SMA: миниатюризация, расширения диапазона рабочих частот, повышение удобства и скорости соединения вилки и розетки, увеличение д...
GaN-транзисторы Microsemi Corporation для высоконадежных СВЧ-разработок
Появление новых транзисторов, изготавливаемых на основе нитрида галлия и обладающих рекордными энергетическими показателями, привело к значительному улучшению параметров современного СВЧ-оборудования. Одним из лидеров в производстве нитрид-галлиевых транзисторов является компания Microsemi, имеющая многолетний опыт разработки силовых высокочастотных компонентов. Компания, представившая первые с...
Радиочастотные соединители SMC и SSMC
В статье рассмотрены конструкция и основные параметры зарубежных субминиатюрных радиочастотных соединителей SMC и SSMC с предельными частотами соответственно 10 и 12,4 ГГц, не имеющие отечественных аналогов. Проанализирована продукция основных компаний — производителей этих соединителей. Показана возможность применения соединителей SMC и SSMC в устройствах микроэлектроники СВЧ.
СВЧ-переключатели на основе МЭМС
С ростом рабочих частот и мощностей сигналов использование таких традиционных переключательных СВЧ-компонентов, как PIN-диоды и полевые транзисторы, становится проблематичным. Альтернативным решением проблемы может быть применение МЭМС-переключателей. За прошедшие годы их технологии были значительно усовершенствованы, и теперь они представляют собой достаточно надежные компоненты, перспективные...