Опыт применения GaN-транзисторов L-диапазона от Microsemi
В статье рассматривается работа GaN-транзисторов Microsemi DC35GN-15-Q4 и 0912GN-650, приведены их характеристики, полученные экспериментальным путем. СВЧ-компоненты
В статье рассматривается работа GaN-транзисторов Microsemi DC35GN-15-Q4 и 0912GN-650, приведены их характеристики, полученные экспериментальным путем. Мощные GAN СВЧ-транзисторы для применения в перспективных системах связи и радиолокации
Мощные нитрид-галлиевые СВЧ-транзисторы становятся все более востребованными в качестве современной элементной компонентной базы для применения в перспективных системах связи и радиолокации. В статье представлены результаты моделирования и измерения отечественных нитрид-галлиевых транзисторов. При создании структур кристаллов этих мощных полупроводниковых приборов были проработаны различные кон... СВЧ-компоненты Wolfspeed на основе GaN/SiC
В статье рассказывается о текущем положении дел и перспективах дальнейшего развития одного из лидеров СВЧ-рынка, а также приводится краткий обзор новинок продукции бренда Wolfspeed, доступных на российском рынке СВЧ-компонентов. Особенности применения мощных GaN СВЧ-транзисторов в авионике и радарных системах
В статье рассматриваются некоторые особенности работы мощных СВЧ GaN-транзисторов в режиме AB в составе систем авионики и радарных применениях. При использовании подобных транзисторов в режиме АВ усредненный КПД усилителя на 5–10% ниже, чем КПД во время прохождения импульса. Более того, работа в этом режиме порождает существенный дробовой шум в отсутствие импульса, что в свою очередь может прив...