Распределенный GaN усилитель диапазона 1-8 ГГц с использованием трехпортового трансформатора

В статье описана схема и измерение характеристик усилителя мощности диапазона 1–8 ГГц, изготовленного по серийному технологическому процессу GaN 0,15 мкм. В этом процессе используется 100-мм SiC-подложка и компактное расположение транзисторов с отдельными сквозными отверстиями для истоков. Топология усилителя допускает неравномерную нагрузку c трехпортовым трансформатором на выходе. Двухкаскад...

Проволочные соединения и их характеристики на высокой частоте

В статье рассматривается влияние перемычек связи, обычно используемых в гибридных СВЧ-микросхемах и гибридных монолитных интегральных микросхемах, на параметры внутрисхемных соединений. Для достижения заданных характеристик микросхем на их рабочих частотах надо точно знать все дополнительные паразитные элементы, в частности индуктивности и сопротивления внутрисхемных проволочных перемычек. Числ...

Альтернатива использованию СВЧ монолитных интегральных схем при изготовлении приемопередающих модулей ФАР

Радиолокационные станции (РЛС) с фазированной антенной решеткой (ФАР) имеют целый ряд существенных преимуществ над традиционными радарами, в которых применяются вращающиеся антенны. Это связано с тем, что ФАР могут одновременно использовать несколько лучей, формировать нуль-диаграммы направленности (ДН) в боковом лепестке в направлении источника помех. Кроме того, ФАР имеют плоскую или конформн...

Многополюсные переключатели компании Peregrine Semiconductor

Фирма Peregrine Semiconductor уже более 25 лет специализируется на развитии обладающей повышенной радиационной стойкостью технологии КНС (кремний‐на‐ сапфире), которая в терминологии компании называется Ultra‐CMOS. Фирма продолжает активно развивать ассортимент выпускаемой продукции, недавно она выпустила на рынок многополюсные СВЧ‐переключатели на 6, 8 и 12 полюсов.

Продукция компании Aelius Semiconductors для оптимизации систем АФАР

Активные фазированные антенные решетки (АФАР) содержат тысячи одинаковых ячеек, управляющих амплитудой и фазой СВЧ‐сигнала, именно они определяют надежность и стоимость всей антенной системы. Компания Aelius Semiconductors ведет активную работу по созданию монолитных интегральных схем, ориентированных для применения в АФАР. Высокий уровень их интеграции позволяет снизить число компонентов в яче...

Эволюция радиочастотных соединителей для электроники СВЧ. В поиске компромиссных решений.
Часть 2. Соединители SMP

В статье рассмотрены конструктивные и электрические параметры соединителей SMP, показано влияние коаксиальной линии соединителя на его предельную частоту и допустимую пропускаемую мощность. Рассмотрены основные направления эволюции соединителей SMP: миниатюризация, расширение диапазона рабочих частот, повышение надежности соединения вилки и розетки, увеличение допустимой пропускаемой мощности. ...

GaN-транзисторы MACOM для беспроводных базовых станций

Область полупроводниковой технологии, используемая для инфраструктуры беспроводной связи, претерпевает значительные изменения, и, в частности, это касается рынка усилителей мощности. Многие годы здесь доминировали транзисторы, выполненные по смещено-диффузной металл–оксид–полупроводниковой технологии на основе кремния (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor, LDMOS), с которыми сейчас в об...

Мощные GaN-транзисторы для L- и S-диапазонов частот

В статье представлены основные технические характеристики разработанных мощных нитрид- галлиевых транзисторов с рабочим напряжением питания 28 В для L- и S-диапазонов частот, а также технические характеристики широкополосного усилительного паллета на основе GaN-транзистора ПП9137А. Нитрид- галлиевые транзисторы обеспечивают высокие значения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полез...

Новые мощные GaN-микросхемы от Aelius на 8,5–12 ГГц

Компания Aelius Semiconductors выпустила новые СВЧ МИС (MMIC) для X-диапазона. Среди новинок оказались две СВЧ-микросхемы соответственно на 20 и 30 Вт, выполненных по технологии AlGaN/GaN. Оба компонента имеют корпус для поверхностного монтажа площадью 7×7 мм. Производство новинок нацелено на применение в составе ППМ АФАР. Ниже приведены основные параметры усилителей: ASL4055C7: Частотный диапазон: 8,5–12 ГГц. Рассеиваемая мощность (Psat): 43 дБм. КУ (Small signal Gain): 28 дБ. КПД: 35%. Напряжение на стоке (Vd): 28 В. Корпус: LCC (Безвыводный керамический) 7×7×1,5 мм. ...

Эволюция радиочастотных соединителей для электроники СВЧ. В поиске компромиссных решений.
Часть 1. Соединители SMA

В статье рассмотрены конструктивные и электрические параметры соединителей SMA. Показано влияние коаксиальной линии соединителя на его волновое сопротивление, предельную частоту и допустимую пропускаемую мощность. Рассмотрены основные направления эволюции соединителей SMA: миниатюризация, расширения диапазона рабочих частот, повышение удобства и скорости соединения вилки и розетки, увеличение д...