Разработка GаN-транзисторов

АО «НИИЭТ» разработал и серийно поставляет ряд мощных СВЧ-транзисторов и ГИС на основе нитрид-галлиевых гетероструктур с высокой подвижностью электронов. Номенклатура созданных изделий имеет выходную мощность 0,12–400 Вт и перекрывает частотный диапазон 0,03–12 ГГц. На этапе освоения производства находится линейка силовых транзисторов с напряжением сток-исток 100, 200 и 650 В.

Первый в индустрии запуск промышленной технологии производства GaN/SiC СВЧ-транзисторов с напряжением питания 100 В

Компания Integra Technologies объявила о запуске новой инновационной технологии промышленного изготовления GaN/SiС СВЧ-транзисторов с напряжением питания 100 В. Данная технология будет востребована в широком спектре применений: от радаров различного назначения и авионики до промышленных и медицинских систем, а также в научной аппаратуре. Высокое напряжение питания 100 В, используемое новой технологией, позволяет достичь беспрецедентно высокого уровня мощности в 3,6 кВт, получаемого с единичного GaN-транзистора, что позволяет разработчику существенно улучшить мощностные параметры системы, ...

Улучшенная модель биполярного транзистора с гетеропереходом по технологии InP от Keysight Technologies

Точная и гибкая модель для режима большого сигнала, основанная на анализе характеристик биполярных транзисторов c гетеропереходом (HBT) на базе фосфида индия (InP) была реализована в САПР ADS в виде семипортового устройства с символьным определением (SDD). Усовершенствованная модель от Keysight Technologies позволяет избежать ошибочного вклада времени прохождения носителей из внутренней области...

GaN-транзистор мощностью 1,8 кВт для авионики L-диапазона

Компания Qorvo разработала новый нитрид-галлиевый (GaN) транзистор, выполненный на подложке из карбида кремния (SiC), а именно — транзистор QPD1025 мощностью 1,8 кВт специально адаптированный для применения в системах авиационной радионавигации, работающих в пределах L-диапазона.

Выбор технологии СВЧ-транзисторов для использования в усилителях мощности

В статье рассматриваются преимущества и недостатки нескольких широко распространенных полупроводниковых технологий, используемых в транзисторах мощных СВЧ-усилителей. В статье разъясняются основные вопросы, определяющие выбор каждой из этих технологий, рассматриваются преимущества и недостатки каждой из них. Представлено несколько примеров оптимальных решений для ряда приложений, работающих в р...

Высокомощные НЕМТ-транзисторы (HEMT) на основе нитрида галлия (GaN) S-диапазона мощностью 600 Вт и Х-диапазона мощностью 200 Вт для импульсного режима

Высокомощные НЕМТ- транзисторы на основе нитрида галлия (GaN) предназначены для радиолокационных станций (РЛС) S- и X-диапазонов. Полностью внутрисогласованные GaN НЕМТ-транзисторы S-диапазона, имеющие минимальную выходную мощность 600 Вт и минимальное усиление по мощности 12 дБ, а также КПД стока 60% в диапазоне 2,7–2,9 ГГц, предназначены для РЛС управления воздушным движением (УВД). Полностью...

Альтернатива использованию СВЧ монолитных интегральных схем при изготовлении приемопередающих модулей ФАР

Радиолокационные станции (РЛС) с фазированной антенной решеткой (ФАР) имеют целый ряд существенных преимуществ над традиционными радарами, в которых применяются вращающиеся антенны. Это связано с тем, что ФАР могут одновременно использовать несколько лучей, формировать нуль-диаграммы направленности (ДН) в боковом лепестке в направлении источника помех. Кроме того, ФАР имеют плоскую или конформн...

Продукция компании Aelius Semiconductors для оптимизации систем АФАР

Активные фазированные антенные решетки (АФАР) содержат тысячи одинаковых ячеек, управляющих амплитудой и фазой СВЧ‐сигнала, именно они определяют надежность и стоимость всей антенной системы. Компания Aelius Semiconductors ведет активную работу по созданию монолитных интегральных схем, ориентированных для применения в АФАР. Высокий уровень их интеграции позволяет снизить число компонентов в яче...

GaN-транзисторы MACOM для беспроводных базовых станций

Область полупроводниковой технологии, используемая для инфраструктуры беспроводной связи, претерпевает значительные изменения, и, в частности, это касается рынка усилителей мощности. Многие годы здесь доминировали транзисторы, выполненные по смещено-диффузной металл–оксид–полупроводниковой технологии на основе кремния (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor, LDMOS), с которыми сейчас в об...

Мощные GaN-транзисторы для L- и S-диапазонов частот

В статье представлены основные технические характеристики разработанных мощных нитрид- галлиевых транзисторов с рабочим напряжением питания 28 В для L- и S-диапазонов частот, а также технические характеристики широкополосного усилительного паллета на основе GaN-транзистора ПП9137А. Нитрид- галлиевые транзисторы обеспечивают высокие значения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полез...