GaN-транзистор мощностью 1,8 кВт для авионики L-диапазона

Компания Qorvo разработала новый нитрид-галлиевый (GaN) транзистор, выполненный на подложке из карбида кремния (SiC), а именно — транзистор QPD1025 мощностью 1,8 кВт специально адаптированный для применения в системах авиационной радионавигации, работающих в пределах L-диапазона.

Выбор технологии СВЧ-транзисторов для использования в усилителях мощности

В статье рассматриваются преимущества и недостатки нескольких широко распространенных полупроводниковых технологий, используемых в транзисторах мощных СВЧ-усилителей. В статье разъясняются основные вопросы, определяющие выбор каждой из этих технологий, рассматриваются преимущества и недостатки каждой из них. Представлено несколько примеров оптимальных решений для ряда приложений, работающих в р...

Высокомощные НЕМТ-транзисторы (HEMT) на основе нитрида галлия (GaN) S-диапазона мощностью 600 Вт и Х-диапазона мощностью 200 Вт для импульсного режима

Высокомощные НЕМТ- транзисторы на основе нитрида галлия (GaN) предназначены для радиолокационных станций (РЛС) S- и X-диапазонов. Полностью внутрисогласованные GaN НЕМТ-транзисторы S-диапазона, имеющие минимальную выходную мощность 600 Вт и минимальное усиление по мощности 12 дБ, а также КПД стока 60% в диапазоне 2,7–2,9 ГГц, предназначены для РЛС управления воздушным движением (УВД). Полностью...

Альтернатива использованию СВЧ монолитных интегральных схем при изготовлении приемопередающих модулей ФАР

Радиолокационные станции (РЛС) с фазированной антенной решеткой (ФАР) имеют целый ряд существенных преимуществ над традиционными радарами, в которых применяются вращающиеся антенны. Это связано с тем, что ФАР могут одновременно использовать несколько лучей, формировать нуль-диаграммы направленности (ДН) в боковом лепестке в направлении источника помех. Кроме того, ФАР имеют плоскую или конформн...

Продукция компании Aelius Semiconductors для оптимизации систем АФАР

Активные фазированные антенные решетки (АФАР) содержат тысячи одинаковых ячеек, управляющих амплитудой и фазой СВЧ‐сигнала, именно они определяют надежность и стоимость всей антенной системы. Компания Aelius Semiconductors ведет активную работу по созданию монолитных интегральных схем, ориентированных для применения в АФАР. Высокий уровень их интеграции позволяет снизить число компонентов в яче...

GaN-транзисторы MACOM для беспроводных базовых станций

Область полупроводниковой технологии, используемая для инфраструктуры беспроводной связи, претерпевает значительные изменения, и, в частности, это касается рынка усилителей мощности. Многие годы здесь доминировали транзисторы, выполненные по смещено-диффузной металл–оксид–полупроводниковой технологии на основе кремния (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor, LDMOS), с которыми сейчас в об...

Мощные GaN-транзисторы для L- и S-диапазонов частот

В статье представлены основные технические характеристики разработанных мощных нитрид- галлиевых транзисторов с рабочим напряжением питания 28 В для L- и S-диапазонов частот, а также технические характеристики широкополосного усилительного паллета на основе GaN-транзистора ПП9137А. Нитрид- галлиевые транзисторы обеспечивают высокие значения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полез...

GaN-транзисторы Microsemi Corporation для высоконадежных СВЧ-разработок

Появление новых транзисторов, изготавливаемых на основе нитрида галлия и обладающих рекордными энергетическими показателями, привело к значительному улучшению параметров современного СВЧ-оборудования. Одним из лидеров в производстве нитрид-галлиевых транзисторов является компания Microsemi, имеющая многолетний опыт разработки силовых высокочастотных компонентов. Компания, представившая первые с...

Мощные GAN СВЧ-транзисторы для применения в перспективных системах связи и радиолокации

Мощные нитрид-галлиевые СВЧ-транзисторы становятся все более востребованными в качестве современной элементной компонентной базы для применения в перспективных системах связи и радиолокации. В статье представлены результаты моделирования и измерения отечественных нитрид-галлиевых транзисторов. При создании структур кристаллов этих мощных полупроводниковых приборов были проработаны различные кон...

СВЧ-компоненты Wolfspeed на основе GaN/SiC

В статье рассказывается о текущем положении дел и перспективах дальнейшего развития одного из лидеров СВЧ-рынка, а также приводится краткий обзор новинок продукции бренда Wolfspeed, доступных на российском рынке СВЧ-компонентов.