Компания Hisiwell (КНР) предлагает доступную альтернативу известным на рынке производителям кремниевых LDMOS-транзисторов в герметичных металлокерамических корпусах. В программе поставок продукции Hisiwell доступны транзисторы для различных диапазонов: 0,7–1 ГГц; 0,7–2,2 ГГц; 915 МГц; 0,96–1,2 ГГц; 1,2–1,6 ГГц; 2,7–3,1 ГГц; 3,4–3,6 ГГц и мощностью до 2,5 кВт. Возможны различные конфигурации транзисторов — два в едином корпусе, а также реализованные по схеме Догерти. Данная продукция востребована теми заказчиками, которые в силу ряда обстоятельств не могут перейти в выпуске своей ...

Благодаря возможности использовать технологические процессы и большие пластины, стандартные для полупроводников, технология нитрида галлия (GaN) на кремнии (Si), предназначенная для изготовления высокочастотных транзисторов, не только предусматривает значительную экономию при производстве, но и сочетает конкурентные преимущества обеих технологий. В этой статье, представленной в виде авторского ...

В статье приведены результаты измерения 600 и 1200 Вт GaN-транзисторов в L диапазоне частот производства АО «ПКК Миландр». В настоящий момент это одни из самых мощных СВЧ GaN-транзисторов, работающих в данном частотном диапазоне. Создание подобных транзисторов является существенным шагом вперед для отечественных компаний. Также в статье представлены перспективные разработки АО «ПКК Миландр» в ...

АО «НИИЭТ» разработал и серийно поставляет ряд мощных СВЧ-транзисторов и ГИС на основе нитрид-галлиевых гетероструктур с высокой подвижностью электронов. Номенклатура созданных изделий имеет выходную мощность 0,12–400 Вт и перекрывает частотный диапазон 0,03–12 ГГц. На этапе освоения производства находится линейка силовых транзисторов с напряжением сток-исток 100, 200 и 650 В.

Компания Integra Technologies объявила о запуске новой инновационной технологии промышленного изготовления GaN/SiС СВЧ-транзисторов с напряжением питания 100 В. Данная технология будет востребована в широком спектре применений: от радаров различного назначения и авионики до промышленных и медицинских систем, а также в научной аппаратуре. Высокое напряжение питания 100 В, используемое новой технологией, позволяет достичь беспрецедентно высокого уровня мощности в 3,6 кВт, получаемого с единичного GaN-транзистора, что позволяет разработчику существенно улучшить мощностные параметры системы, ...

Точная и гибкая модель для режима большого сигнала, основанная на анализе характеристик биполярных транзисторов c гетеропереходом (HBT) на базе фосфида индия (InP) была реализована в САПР ADS в виде семипортового устройства с символьным определением (SDD). Усовершенствованная модель от Keysight Technologies позволяет избежать ошибочного вклада времени прохождения носителей из внутренней области...

Компания Qorvo разработала новый нитрид-галлиевый (GaN) транзистор, выполненный на подложке из карбида кремния (SiC), а именно — транзистор QPD1025 мощностью 1,8 кВт специально адаптированный для применения в системах авиационной радионавигации, работающих в пределах L-диапазона.

В статье рассматриваются преимущества и недостатки нескольких широко распространенных полупроводниковых технологий, используемых в транзисторах мощных СВЧ-усилителей. В статье разъясняются основные вопросы, определяющие выбор каждой из этих технологий, рассматриваются преимущества и недостатки каждой из них. Представлено несколько примеров оптимальных решений для ряда приложений, работающих в р...

Высокомощные НЕМТ- транзисторы на основе нитрида галлия (GaN) предназначены для радиолокационных станций (РЛС) S- и X-диапазонов. Полностью внутрисогласованные GaN НЕМТ-транзисторы S-диапазона, имеющие минимальную выходную мощность 600 Вт и минимальное усиление по мощности 12 дБ, а также КПД стока 60% в диапазоне 2,7–2,9 ГГц, предназначены для РЛС управления воздушным движением (УВД). Полностью...

Радиолокационные станции (РЛС) с фазированной антенной решеткой (ФАР) имеют целый ряд существенных преимуществ над традиционными радарами, в которых применяются вращающиеся антенны. Это связано с тем, что ФАР могут одновременно использовать несколько лучей, формировать нуль-диаграммы направленности (ДН) в боковом лепестке в направлении источника помех. Кроме того, ФАР имеют плоскую или конформн...