Альтернатива использованию СВЧ монолитных интегральных схем при изготовлении приемопередающих модулей ФАР

Радиолокационные станции (РЛС) с фазированной антенной решеткой (ФАР) имеют целый ряд существенных преимуществ над традиционными радарами, в которых применяются вращающиеся антенны. Это связано с тем, что ФАР могут одновременно использовать несколько лучей, формировать нуль-диаграммы направленности (ДН) в боковом лепестке в направлении источника помех. Кроме того, ФАР имеют плоскую или конформн...

08.06.2020 | СВЧ-компоненты, Проектирование и моделирование, Транзисторы
Оставить комментарий

Продукция компании Aelius Semiconductors для оптимизации систем АФАР

Активные фазированные антенные решетки (АФАР) содержат тысячи одинаковых ячеек, управляющих амплитудой и фазой СВЧ‐сигнала, именно они определяют надежность и стоимость всей антенной системы. Компания Aelius Semiconductors ведет активную работу по созданию монолитных интегральных схем, ориентированных для применения в АФАР. Высокий уровень их интеграции позволяет снизить число компонентов в яче...

20.05.2020 | СВЧ-компоненты, Переключатели, Транзисторы, Аттенюаторы, Цифровой фазовращатель, Усилители
Оставить комментарий

GaN-транзисторы MACOM для беспроводных базовых станций

Область полупроводниковой технологии, используемая для инфраструктуры беспроводной связи, претерпевает значительные изменения, и, в частности, это касается рынка усилителей мощности. Многие годы здесь доминировали транзисторы, выполненные по смещено-диффузной металл–оксид–полупроводниковой технологии на основе кремния (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor, LDMOS), с которыми сейчас в об...

15.05.2020 | СВЧ-компоненты, Транзисторы
Оставить комментарий

Мощные GaN-транзисторы для L- и S-диапазонов частот

В статье представлены основные технические характеристики разработанных мощных нитрид- галлиевых транзисторов с рабочим напряжением питания 28 В для L- и S-диапазонов частот, а также технические характеристики широкополосного усилительного паллета на основе GaN-транзистора ПП9137А. Нитрид- галлиевые транзисторы обеспечивают высокие значения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полез...

07.05.2020 | СВЧ-компоненты, Транзисторы
Оставить комментарий

GaN-транзисторы Microsemi Corporation для высоконадежных СВЧ-разработок

Появление новых транзисторов, изготавливаемых на основе нитрида галлия и обладающих рекордными энергетическими показателями, привело к значительному улучшению параметров современного СВЧ-оборудования. Одним из лидеров в производстве нитрид-галлиевых транзисторов является компания Microsemi, имеющая многолетний опыт разработки силовых высокочастотных компонентов. Компания, представившая первые с...

19.04.2020 | СВЧ-компоненты, Транзисторы
Оставить комментарий

Мощные GAN СВЧ-транзисторы для применения в перспективных системах связи и радиолокации

Мощные нитрид-галлиевые СВЧ-транзисторы становятся все более востребованными в качестве современной элементной компонентной базы для применения в перспективных системах связи и радиолокации. В статье представлены результаты моделирования и измерения отечественных нитрид-галлиевых транзисторов. При создании структур кристаллов этих мощных полупроводниковых приборов были проработаны различные кон...

22.01.2020 | СВЧ-компоненты, Транзисторы
Оставить комментарий

СВЧ-компоненты Wolfspeed на основе GaN/SiC

В статье рассказывается о текущем положении дел и перспективах дальнейшего развития одного из лидеров СВЧ-рынка, а также приводится краткий обзор новинок продукции бренда Wolfspeed, доступных на российском рынке СВЧ-компонентов.

20.01.2020 | СВЧ-компоненты, Транзисторы
Оставить комментарий

Особенности применения мощных GaN СВЧ-транзисторов в авионике и радарных системах

В статье рассматриваются некоторые особенности работы мощных СВЧ GaN-транзисторов в режиме AB в составе систем авионики и радарных применениях. При использовании подобных транзисторов в режиме АВ усредненный КПД усилителя на 5–10% ниже, чем КПД во время прохождения импульса. Более того, работа в этом режиме порождает существенный дробовой шум в отсутствие импульса, что в свою очередь может прив...

16.01.2020 | СВЧ-компоненты, Проектирование и моделирование, Транзисторы
Оставить комментарий

Меню

Облако меток

Реклама

Транзисторы