Представлены результаты разработки и исследования параметров образцов усилителей мощности с выходной непрерывной мощностью 150–200 Вт в диапазонах частот 3,4–3,9 и 7,3–7,6 ГГц, построенных по схеме суммирования мощностей восьми гибридно-интегральных модулей с нитрид-галлиевыми транзисторами. 
В статье рассматривается практическая реализация СВЧ-усилителя мощности S‑диапазона на GaN HEMT-транзисторах фирмы Sumitomo Electric. Приводятся экспериментальные характеристики разработанного усилителя при разных уровнях входных воздействий. Даны рекомендации по применению разработанного усилителя в радарных системах S‑диапазона. 
Обеспечение высокой чувствительности усилителя при наличии шума в цепях питания традиционно было одной из основополагающих целей еще на заре проектирования электроники. Как правило, стремление добиться высокого отношения сигнал/шум (SNR) было направлено на уменьшение шума от его классических источников, что позволило значительно повысить чувствительность усилительных систем. 
В статье описана конструкция и приведены характеристики сверхширокополосного твердотельного усилителя СВЧ-мощности на основе современных монолитных интегральных схем, обеспечивающего в рабочем диапазоне частот 5–18 ГГц выходную мощность более 12–16 Вт и КПД 17–24%. 
В различных радиотехнических системах широко используются усилители мощности ВЧ/СВЧ-диапазона, от показателей качества которых в значительной степени зависит выполнение задач такими системами. В современных условиях требования к подобным устройствам постоянно возрастают. В статье рассмотрены изделия компании Saras Technology, которая существенно продвинулась в направлении разработки и выпуска в... 
Представлен анализ технических и технологических решений, применяемых при конструировании сверхширокополосных транзисторных усилителей мощности СВЧ-диапазона. Рассмотрены современные технологии и схемы построения монолитных интегральных усилителей мощности, достигнутые в промышленности и в разработках параметры, обсуждаются конструкции высокомощных усилителей. Приведены результаты ряда практиче... 
Собраны и испытаны усилители на монолитных микросхемах GaN в диапазонах частот 4–8 и 8–12 ГГц: соответственно NC11634C-408P25 и NC11650C-812P25 китайской фирмы METDA. В непрерывном режиме при КПД 40% в диапазоне частот 4–8 ГГц получена максимальная выходная мощность 30 Вт, на частотах 8–12 ГГц – 20 Вт. Реализована технология низкотемпературной сборки кристаллов микросхем в модули. 
В статье представлены результаты разработки интегрального малошумящего усилителя С-диапазона для сложно-функциональной монолитной интегральной схемы приемо-передающего модуля активной фазированной антенной решетки гражданского назначения. Разработана электрическая схема интегрального МШУ и проведено моделирование в системе автоматизированного проектирования Cadence IC Design с использованием PD... 
В статье представлены результаты проектирования и экспериментальные характеристики широкополосного усилителя, использующегося в качестве корректора амплитудно-частотной характеристики (АЧХ). Показана возможность изменять наклон АЧХ вариацией общей ширины затворов транзисторов в схеме усилителя с распределенным усилением (УРУ). В качестве активного элемента предусмотрены E-pHEMT-транзисторы, раб... 
Разработан усилитель Х-диапазона длин волн, обеспечивающий выходную импульсную мощность не менее 50 Вт с коэффициентом усиления 20 дБ. Выполнено суммирование мощности четырех каналов, в согласующих цепях применена керамика с высокой диэлектрической проницаемостью. СВЧ-часть усилителя выполнена на комплектации АО «НПП «Исток» им. А.И. Шокина». Приведены результаты измерений мощного СВЧ-транзистора. 