Redirect= Новые мощные GaN-микросхемы от Aelius на 8,5–12 ГГц

Новые мощные GaN-микросхемы от Aelius на 8,5–12 ГГц

Aelius SemiconductorsКомпания Aelius Semiconductors выпустила новые СВЧ МИС (MMIC) для X-диапазона. Среди новинок оказались две СВЧ-микросхемы соответственно на 20 и 30 Вт, выполненных по технологии AlGaN/GaN. Оба компонента имеют корпус для поверхностного монтажа площадью 7×7 мм. Производство новинок нацелено на применение в составе ППМ АФАР. Ниже приведены основные параметры усилителей:

ASL4055C7:

  • Частотный диапазон: 8,5–12 ГГц.
  • Рассеиваемая мощность (Psat): 43 дБм.
  • КУ (Small signal Gain): 28 дБ.
  • КПД: 35%.
  • Напряжение на стоке (Vd): 28 В.
  • Корпус: LCC (Безвыводный керамический) 7×7×1,5 мм.

ASL4056P7:

  • Частотный диапазон: 8,5–12 ГГц.
  • Рассеиваемая мощность (Psat): 45 дБм.
  • КУ (Small signal Gain): 28 дБ.
  • КПД: 33%
  • Напряжение на стоке (Vd): 28 В.
  • Корпус: QFN 7×7×1,2 мм.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *