Новые мощные GaN-микросхемы от Aelius на 8,5–12 ГГц
Компания Aelius Semiconductors выпустила новые СВЧ МИС (MMIC) для X-диапазона. Среди новинок оказались две СВЧ-микросхемы соответственно на 20 и 30 Вт, выполненных по технологии AlGaN/GaN. Оба компонента имеют корпус для поверхностного монтажа площадью 7×7 мм. Производство новинок нацелено на применение в составе ППМ АФАР. Ниже приведены основные параметры усилителей:
ASL4055C7:
- Частотный диапазон: 8,5–12 ГГц.
- Рассеиваемая мощность (Psat): 43 дБм.
- КУ (Small signal Gain): 28 дБ.
- КПД: 35%.
- Напряжение на стоке (Vd): 28 В.
- Корпус: LCC (Безвыводный керамический) 7×7×1,5 мм.
ASL4056P7:
- Частотный диапазон: 8,5–12 ГГц.
- Рассеиваемая мощность (Psat): 45 дБм.
- КУ (Small signal Gain): 28 дБ.
- КПД: 33%
- Напряжение на стоке (Vd): 28 В.
- Корпус: QFN 7×7×1,2 мм.