Redirect= Запуск производства GaN/SiC СВЧ-транзисторов с питанием 100 В

Первый в индустрии запуск промышленной технологии производства GaN/SiC СВЧ-транзисторов с напряжением питания 100 В

Первый в индустрии запуск промышленной технологии производства GaN/SiC СВЧ-транзисторов с напряжением питания 100 ВКомпания Integra Technologies объявила о запуске новой инновационной технологии промышленного изготовления GaN/SiС СВЧ-транзисторов с напряжением питания 100 В. Данная технология будет востребована в широком спектре применений: от радаров различного назначения и авионики до промышленных и медицинских систем, а также в научной аппаратуре.

Высокое напряжение питания 100 В, используемое новой технологией, позволяет достичь беспрецедентно высокого уровня мощности в 3,6 кВт, получаемого с единичного GaN-транзистора, что позволяет разработчику существенно улучшить мощностные параметры системы, упрощая при этом ее схемотехнику за счет уменьшения количества цепей сложения мощности. Новая технология обеспечивает значительный выигрыш в стоимости и габаритах системы по сравнению с распространенной в настоящее время GaN/SiC-технологией c напряжением питания 50/65 В.

Использование новой технологии позволит разработчикам создавать новые архитектуры построения систем, ранее недоступные из-за отсутствия подходящих компонентов.

Первый финальный продукт компании, выполненный по  100-В технологии, — СВЧ-транзистор IGN1011S3600, работающий в диапазоне 1030/1090 МГц. Он предназначен для применений в авионике и обеспечивает выходную мощность порядка 3,6 кВт при усилении 19 дБ и КПД около 70% (параметры импульса: ширина 75 мкс, скважность 25).

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *