АО «НИИЭТ» приступает к реализации нового проекта по импортозамещению

Специалисты АО «НИИЭТ» (входит в ГК «Элемент») работают над созданием серии из пяти мощных импульсных СВЧ LDMOS-транзисторов, оптимизированных для функционирования в определенном диапазоне частот, характерном для конкретной системы авиационного бортового оборудования. В основе — новейшая отечественная LDMOS-технология, использующая все достижения отечественной микроэлектроники в данной области за последние годы и отработанная в ходе выполнения проводимых за счет собственных средств НИР и реализации комплексного проекта, субсидированного из федерального бюджета.

Мощный импульсный LDMOS-транзистор типа 1 предназначен для работы в усилителях мощности систем бортового радионавигационного оборудования, обеспечивающего безопасность посадки в метеорологических условиях, не поддерживающих безопасного визуального захода на посадку. Прямых зарубежных аналогов транзистор не имеет.

Мощный импульсный LDMOS-транзистор типа 2 предназначен для работы в усилителях мощности радиотехнической системы ближней навигации (РСБН). Зарубежным аналогом данного типа транзистора является BLA6H0912L-1000 фирмы Ampleon.

Мощный импульсный LDMOS-транзистор типа 3 предназначен для работы в усилителях мощности обзорных радиолокационных станций авиационного и наземного базирования. Зарубежным аналогом транзистора является BLL8H1214L-500 фирмы Ampleon.

Мощный импульсный LDMOS-транзистор типа 4 предназначен для работы в усилителях мощности авиационной системы государственного опознавания. Прямых зарубежным аналогов транзистор типа 4 не имеет.

Мощный импульсный LDMOS-транзистор типа 5 предназначен для работы в усилителях мощности радиолокационных станциях S-диапазона, в том числе метеорологических. Его зарубежным аналогом является MRF8P29300HR6 фирмы Freescale Semiconductor (сейчас входит в NXP).

Применение в составе аппаратуры разрабатываемых в рамках данного комплексного проекта отечественных мощных СВЧ LDMOS-транзисторов позволит достичь более высоких энергетических параметров, в первую очередь высокой выходной импульсной мощности. Сегодня не существует отечественных транзисторов, способных выдавать высокую выходную мощность на характерных для авиационного БРЭО диапазона частот с требуемым уровнем коэффициента полезного действия и усиления. Между тем, высокая выходная мощность позволяет увеличить дальность действия радиолокационных средств либо сократить число используемых в них усилительных элементов, благодаря чему сократятся габариты и масса оборудования, что очень важно в авиационном применении. В сравнении с зарубежными аналогами уменьшается стоимость конечного изделия и отсутствует риск срыва поставок из-за санкций.

К новым изделиям, разрабатываемым в рамках проекта, предъявляются следующие конструктивные требования:

• Транзисторы изготавливаются в металлокерамических корпусах КТ-103А-2 по ГОСТ Р 57439-2017.
• Габаритные, установочные, присоединительные размеры изделия, а также способ его крепления в аппаратуре устанавливаются в ходе ОКР.
• Масса изделия должна быть не более 20 г.
• Выводы транзистора должны выдерживать без механических повреждений воздействие растягивающей силы 10 Н (1 кгс), направленной вдоль оси вывода.
• Изделия должны быть герметичными. Показатель герметичности транзисторов по эквивалентному нормализованному потоку: не более 1 Па·см³/с.
• Изделия разрабатывают в конструктивном исполнении, предназначенном для ручной сборки аппаратуры.
• Конструкция изделия и технология его изготовления должны обеспечивать конструктивно-технологические запасы и запасы по параметрам относительно основных технических требований.

Транзисторы должны быть стойкими к воздействию механических и климатических факторов и отвечать требованиям надежности, таким как:

• интенсивность отказов транзисторов в течение наработки в режимах и условиях, допускаемых настоящими ТУ, должна быть не более 1×10^–6 1/ч в пределах наработки t_Н 25 000 ч.
• 98%-ный срок сохраняемости транзисторов при хранении их в условиях по ГОСТ 21493 должен быть не менее 10 лет.

Количество вновь создаваемых и (или) модернизируемых в рамках реализации комплексного проекта высокотехнологичных рабочих мест составляет шесть единиц.

Количество создаваемых результатов интеллектуальной деятельности, охраняемых патентами или иными охранными документами и (или) охраняемых в качестве секретов производства (ноу-хау) — 8 штук, в том числе:

• секреты производства (ноу-хау): 5;
• свидетельства о регистрации топологии интегральных микросхем: 2;
• патент на изобретение: 1.

Для выполнения данного комплексного проекта будут использованы производственные активы в части сборки, проведения измерений и испытаний, принадлежащие АО «НИИЭТ» (ГК «Элемент»). Для производства полупроводниковых пластин с транзисторными кристаллами будут задействованы производственные мощности ведущего производителя изделий микроэлектроники в России — АО «Микрон» (ГК «Элемент»), привлекаемого в качестве соисполнителя.