Разработка смесителя частоты An4140 и двухканального RF-переключателя поглощающего типа An4259 на структурах ультратонкого кремния на сапфире

№ 1’2023
PDF версия
На базе АО «Ангстрем» разработаны отечественные СВЧ-микросхемы An4140 и An4259, выполненные по технологии ультратонкого кремния на сапфире (далее — UTSi). Данные разработки полностью реализованы на отечественных материалах.

Введение

Технология «кремний на сапфире» рассматривается как одна из перспективных для изготовления высокочастотных интегральных схем с повышенной плотностью элементов. Структуры, выполненные по данной технологии, более долговечны, имеют высокую стойкость к радиации и потребляют меньше энергии по сравнению со структурами, изготовленными на массивном кремнии.

Основным производителем СВЧ-микросхем на основе технологии UTSi долгое время являлась компания Peregrine Semiconductor (США), которая выпускала широкий спектр продукции и в дальнейшем была полностью выкуплена гигантом рынка микроэлектроники — компанией Murata (Япония).

Продукция, разработанная Peregrine Semiconductor, в настоящее время имеет высокий спрос на отечественном рынке ввиду особенностей и преимуществ UTSi по отношению к другим технологии. Особенно высокий интерес представляет применение изделий в космической отрасли, средствах связи и передающих устройствах.

АО «Ангстрем» — единственное предприятие в РФ, которое смогло полностью воспроизвести выпуск микросхем по технологии UTSi на собственных производственных мощностях с применением отечественных комплектующих.

В статье приводится краткое описание разработок — смесителя частоты An4140 и двухканального RF-переключателя поглощающего типа An4259 на структурах ультратонкого кремния на сапфире.

 

Смеситель частоты An4140

An4140 — широкополосный 4‑транзисторный смеситель частоты с широким динамическим диапазоном, способный работать на частоте до 6 ГГц. Типичные области применения варьируются от преобразования частоты до определения фазы для базовых станций сотовой связи, широкополосных беспроводных коммуникаций и STB/кабельных модемов.

An4140 изготовлен по технологии СВЧ КМОП ИС на структурах ультратонкого кремния на сапфире (аналог технологии UltraCMOS на подложках UtSi SOS Peregrine Semiconductor), обеспечивающей СВЧ-характеристики в процессе, близком к стандартному КМОП-процессу на кремнии.

An4140 является аналогом изделия РЕ4140 Peregrine Semiconductor/Murata. Структурная схема приведена на рис. 1. Изделие планируется к выпуску в корпусах SO‑8 и DFN6.

Структурная схема An4140

Рис. 1. Структурная схема An4140

Основные электрические параметры изделия приведены в таблице 1, а предельные условия эксплуатации — в таблице 2. В таблицах 3 и 4 указаны электромагнитные параметры микросхемы при включении для применения в диапазоне GSM и в системах кабельного телевидения соответственно.

Таблица 1. Основные электрические параметры An4140
Обозначение Наименование параметра Мин. Ном. Макс.
FTYP Диапазон рабочей частоты, ГГц 0   6
VDS Напряжение исток-сток при VЗИ = 3 В, IСИ = 40 мА, мВ 260 320 380
ΔVDS Разброс напряжения исток-сток, мВ   12 40
VT Пороговое напряжение при VСИ = 0,1 В, мВ   –100  
RDS Сопротивление исток-сток в состоянии ON при VЗ = 3 В, IС = 40 мА, Ом 6,5 7,75 9,5
Таблица 2. Предельные условия эксплуатации An4140
Наименование параметра Мин. Макс.
Температура хранения, °С –65 +150
Рабочий температурный диапазон, °С –40 +85
Сумма максимального постоянного и амплитуды переменного падений напряжения сток-исток (СИ), В   ±3,3
Сумма максимального постоянного и амплитуды переменного падений напряжения затвор-сток или затвор-исток, В   ±4,2
Электростатическое напряжение (HBM), В   100
Таблица 3. Электромагнитные параметры микросхемы при включении для применения в диапазоне GSM при Т = +25 °C
Наименование Мин. Ном. Макс.
Диапазон рабочей частоты, MГц

LO

RF

IF

 

1630

1700

 

 

70

 

2130

2200

 

Потери преобразования, дБ   8,5  
Изоляция выводов, дБ

LO-RF

LO-IF

   

36

26

 
Точка пересечения интермодуляции третьего порядка по входу IIP3, дБм 32    
Точка компрессии 1 дБ, дБм   22  
Таблица 4. Электромагнитные параметры при включении для применения в системах кабельного телевидения при Т = +25 °C
Наименование Мин. Ном. Макс.
Диапазон рабочей частоты, MГц

LO

RF

IF

 

1116

54

 

1062

 

1926

864

Потери преобразования, дБ   6,5  
Изоляция выводов, дБ

LO-RF

LO-IF

   

40

28

 
Точка пересечения интермодуляции третьего порядка по входу IIP3, дБм   23  
Точка компрессии 1 дБ, дБм   13  

 

Двухканальный RF-переключатель поглощающего типа An4259

Двухканальный радиочастотный переключатель поглощающего типа An4259 предназначен для широкого спектра применений в диапазоне 10 МГц–3000 МГц. An4259 объединяет встроенную логику управления CMOS с низковольтным напряжением, может управляться с помощью одного контакта питания или дополнительных управляющих входов. Как и An4140, переключатель An4259 изготавливается по технологии UTSi и является аналогом микросхемы РЕ4259 фирмы Peregrine Semiconductor/Murata. Структурная схема приведена на рис. 2.

Структурная схема An4259

Рис. 2. Структурная схема An4259

Изделие планируется к выпуску в корпусах SO‑8 и DFN6.

Основные параметры изделия приведены в таблице 5. В таблице 6 даны электромагнитные параметры микросхемы.

Таблица 5. Основные параметры микросхемы An4259
Обозначение Наименование Мин. Ном. Макс.
FTYP Диапазон рабочей частоты, МГц 10   3000
VDD Напряжение питания, В 1,8 3 3,3
IDD Потребляемый ток питания (при VDD = 3 В и VCTRL = 3 В), мкА   9 20
VCNTRL_H Управляющее напряжение, верхний уровень, В 0,7×VDD    
VCNTRL_L Управляющее напряжение, нижний уровень, В     0,3×VDD
Таблица 6. Электромагнитные параметры при Т = +25 °C, VDD = 3 В
Наименование Мин. Ном. Макс.
Диапазон рабочей частоты, MГц 10 3000
Потери преобразования, дБ

1000 МГц

2000 МГц

 

 

0,35

0,5

 

0,45

0,6

Изоляция выводов, дБ

1000 МГц

2000 МГц

 

29

19

 

30

20

 

Возвратные потери, дБ

1000 МГц

2000 МГц

 

21

24

 

22

27

 

Точка пересечения интермодуляции третьего порядка по входу IIP3 (1000 МГц, 20 дБм — уровень входного сигнала), дБм 55
Точка компрессии 1 дБ, дБм

1000 МГц; 2,3–3,3 В

1000 МГц; 1,8–2,3 В

2500 МГц; 2,3–3,3 В

2500 МГц; 1,8–2,3 В

 

31,5

29,5

28,5

28

 

33,5

30,5

30,5

29

 

 

Заключение

В условиях дефицита компонентной базы СВЧ-электроники, выполненной по технологии UTSi подтвержденного качества на российском рынке, АО «Ангстрем» ведет разработки новой линейки изделий — смесителя частоты An4140 и двухканального RF-переключателя поглощающего типа An4259. Полный цикл производства данных микросхем проводится на собственных промышленных мощностях предприятия, что обеспечивает полный контроль над качеством поставляемых изделий.

Отметим, что АО «Ангстрем» является единственным производителем СВЧ-электроники, выполненной по технологии UTSi в России, достигая тем самым уникальности разработки, гибкости на этапе проектирования.

Следует обратить внимание, что номенклатура разрабатываемой линейки микросхем может быть расширена в соответствии с задачами конкретного заказчика, заинтересованного в приобретении изделий подобного класса. Так, высокий интерес к продукции «Ангстрем» уже проявили холдинг «РКС», «Алмаз-Антей» и ряд других крупных государственных и частных предприятий.

АО «Ангстрем» приглашает заинтересованные компании к диалогу и сотрудничеству, с целью расширения сферы применений и возможностей российской микроэлектроники.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *