Детекторы мощности сигналов СВЧ компании «Микран»
Детекторы мощности СВЧ-сигналов предназначены для выделения огибающей высокочастотных сигналов и применяются для измерения уровня мощности в заданном диапазоне частот или на определенной рабочей частоте. Известны устройства для измерения мощности, принцип действия которых основан на применении различных методов преобразования энергии СВЧ-сигналов, таких как калориметрический, болометрический, термоэлектрический, ферромагнитный, с использованием эффекта Холла [1]. Недостатками этих методов являются ограниченный динамический диапазон, громоздкость и сложность реализации большинства из них в микрополосковом исполнении. По сравнению с перечисленными методами, диодные детекторы обладают меньшим временем отклика, позволяют обеспечить большой диапазон измерений по мощности и широкий диапазон рабочих частот.
Упрощенная схема амплитудного детектора (рис. 1) содержит резистор R1 (около 50 Ом) для согласования входного импеданса детектора, диод VD и конденсатор Cp. При подключении внешней нагрузки конденсатор детектора совместно с импедансом нагрузки образуют фильтр низких частот, необходимый для выделения низкочастотного продетектированного напряжения.
В компании «Микран» организован полный цикл производства от изготовления диодов до полной сборки детекторов, их настройки и сервисного обслуживания. На рис. 2 изображены детекторные головки Д5А‑50 производства компании «Микран» [2].
В рамках активно развивающегося направления разработки и производства монолитных интегральных схем (МИС) СВЧ- и КВЧ-диапазонов в «Микране» на собственной производственной линии изготавливаются низкобарьерные диоды ZB‑28 на основе планарно-легированных структур на подложке из арсенида галлия [3, 4]. По основным параметрам диоды схожи с HSCH‑9161 фирмы Keysight Technologies [5], однако обладают меньшей полной емкостью.
Рис. 3 иллюстрирует вольт-амперные характеристики (ВАХ) диодов ZB-28 и HSCH‑9161. Основные типовые электрические параметры диодов ZB‑28 приведены в табл. 1.
|
Параметр |
Значение |
|
|
Полная емкость, фФ |
СT |
35 |
|
Емкость перехода, фФ |
CJ |
24 |
|
Последовательное сопротивление потерь, Ом |
RS |
30 |
|
Видеосопротивление, кОм (при нулевом смещении на диоде) |
RV |
1,8 |
|
Вольт-ваттная чувствительность, мВ/мВт |
βU |
550 |
|
Тангенциальная чувствительность, дБм |
TSS |
-60 |
Граничная частота диодов определяется выражением fГР = 1/(2πRSCj) и для ZB‑28 превышает 200 ГГц. Детекторные головки подразделяются на Д5А‑20 и Д5А‑50 с верхними рабочими частотами 20 ГГц и 50 ГГц соответственно. В зависимости от включения диода детектируемое напряжение может быть отрицательным (детекторы Д5А) или положительным (Д5Б).
Последние два параметра таблицы 1 обеспечиваются при включении диодов ZB-28 в схему детектора (рис. 1) с активной нагрузкой 30 кОм.
На рис. 4 представлены типовые зависимости выходного напряжения детекторов Д5А-20 и Д5А-50 от частоты при входной мощности 1 мВт (0 дБм).
Известно, что вольт-амперные характеристики диодов зависят от температуры, поэтому характеристики диодных детекторов также подвержены температурным изменениям. На рис. 5 изображены графики частотных характеристик детекторов Д5 (до 20 ГГц) при различных температурах.
Зависимость выходного напряжения от уровня мощности, называемая детекторной характеристикой, представлена на рис. 6 для разных сопротивлений нагрузки. Как правило, детекторы подключают к высокоомным нагрузкам, типовой считается 30 кОм. Подключение нагрузки с большим сопротивлением обеспечивает наилучший диапазон мощностей детектирования. Современные детекторы позволяют достичь динамического диапазона 80 дБ и более. Нижняя граница детектируемой мощности ограничена тангенциальной чувствительностью СВЧ-диода [6]. Для детекторов серии Д5 с диодами ZB‑28 она составляет –60 дБм (1 нВт). Верхняя граница ограничена максимальной допустимой мощностью и составляет 25 дБм (316 мВт). Превышение мощности 28 дБм (630 мВт) приведет к деградации диода и, как следствие, к неисправности детектора. Таким образом, детекторы серии Д5 позволяют проводить измерения с динамическим диапазоном до 85 дБ. Однако на практике обычно используют меньший диапазон, так как измерения при мощностях менее –50 дБм (10 нВт) осложнены влиянием шумов детектора, а при больших мощностях нередко необходимо использовать усилители с перестраиваемыми коэффициентами усиления для достижения одинаковой точности на разных уровнях мощности.
При подключении малой нагрузки из-за шунтирования выходного сигнала происходит уменьшение выходного напряжения детектора, из-за чего динамический диапазон ухудшается (рис. 6). Однако уменьшение сопротивления нагрузки снижает постоянную времени выходной RC-цепи детектора, ускоряя тем самым время отклика детектора, что особенно важно при работе с импульсно-модулированными сигналами.

Рис. 6. Графики зависимостей выходного напряжения от входной мощности при различных сопротивлениях нагрузки
Чувствительность по напряжению
Немаловажным параметром детекторов является чувствительность по напряжению СВЧ-диода, нередко называемая вольт-ваттной чувствительностью (ВВЧ). Она может быть определена как отношение приращения напряжения на нагрузке СВЧ-диода к вызвавшей это приращение мощности СВЧ-сигнала на входе диодной камеры в рабочем режиме [6]. На рис. 7 изображены графики зависимости вольт-ваттной чувствительности детекторов серии Д5 для трех значений сопротивления внешней нагрузки. При проектировании устройств с детекторами следует помнить, что производители, как правило, указывают значение ВВЧ в малосигнальном режиме, то есть при низких уровнях мощности.
Известно, что на уровнях входной мощности менее –20 дБм (10 мкВт) диодные детекторы работают в квадратичном режиме [7], где выходное напряжение линейно зависит от мощности входного сигнала СВЧ, то есть пропорционально квадрату входного напряжения. При увеличении мощности детектор переходит в квазилинейный и далее в линейный режим работы.
Детектирование импульсно-модулированных сигналов
Большинство вопросов клиентов по детекторным головкам серии Д5 связаны с измерениями модулированных сигналов и радиоимпульсов. Определяющую роль в этом случае играет время реакции детектора. Для характеризации времени реакции детектора на изменение уровня входной мощности обычно используют время нарастания и спада выходного напряжения по уровням от 10 до 90%. Для приближенного расчета времени нарастания (Tr) детекторов серии Д5 можно использовать формулу:
где: RV = 1,8 кОм — видеосопротивление детекторного диода; RL — сопротивление подключаемой нагрузки; CL — емкость подключаемой нагрузки; CP = 35 пФ — емкость детектора (рис. 1). Использование активной нагрузки 50 Ом обеспечивает время реакции не более 7,5 нс, с нагрузкой 1 МОм — 245 нс. На рис. 8 показаны результаты измерений радиоимпульса на осциллографе DSOS204A фирмы Keysight Technologies с входным сопротивлением измерительного порта 50 Ом.

Рис. 8. Результаты измерений радиоимпульса на осциллографе DSOS204A Keysight Technologies с входным сопротивлением измерительного порта 50 Ом
Видеополоса детектора в этом случае может быть определена как
Подобное значение видеополосы свидетельствует о возможности применения детекторов в широком перечне радиотехнических задач.
В российских источниках термин «видеополоса» встречается крайне редко, однако в зарубежных публикациях и технической документации используется часто и имеет важное практическое значение. Авторы под термином «видеополоса детектора» понимают максимальную частоту модулирующего сигнала, при которой выполняются заявленные параметры детектора (рис. 9).
Сравнение с аналогами
В табл. 2 представлены основные технические характеристики детекторов Д5А в сравнении с наиболее известными зарубежными аналогами [8–10].
|
|
Д5А-50 («Микран») |
DZR50024A (Herotek) |
8474E (Keysight) |
604А (KRYTAR) |
|
Частотный диапазон, ГГц |
0,01…50 |
0,01…50 |
0,01…50 |
0,01…50 |
|
Неравномерность АЧХ, дБ |
±0,3 до 18 ГГц, ±0,6 до 26,5 ГГц, ±1 до 40 ГГц, ±2 до 50 ГГц |
±0,3 до 18 ГГц, ±0,6 до 26 ГГц, ±0,8 до 40 ГГц, ±1 до 50 ГГц |
±0,4 до 26,5 ГГц, ±0,6 до 40 ГГц, ±1 до 50 ГГц |
±0,3 до 18 ГГц, ±0,6 до 26 ГГц, ±1 до 40 ГГц, ±3 до 50 ГГц |
|
КСВН входа |
1,2 до 18 ГГц, 1,25 до 26,5 ГГц, 2 до 40 ГГц, 2,5 до 50 ГГц |
1,3 до 18 ГГц, 1,6 до 26 ГГц, 1,8 до 40 ГГц, 2 до 50 ГГц |
1,2 до 26,5 ГГц, 1,6 до 40 ГГц, 2,8 до 50 ГГц |
1,3 до 20 ГГц, 1,4 до 26 ГГц, 1,7 до 40 ГГц, 2,8 до 50 ГГц |
|
Максимальная входная мощность, дБм |
+25 |
+23 |
+23 |
+23 |
|
Вольт-ваттная чувствительность, мВ/мкВт |
0,55 |
0,5 |
0,4 |
0,4 |
На рис. 10 представлены результаты измерений детекторных характеристик Д5А‑50 и детектора 8471E Agilent (в настоящее время Keysight Technologies) с выходной нагрузкой 30 кОм.

Рис. 10. Детекторные характеристики Д5А-50 и детектора 8471E Agilent (в настоящее время Keysight Technologies)
Благодаря развитию технологий и организации производства полупроводниковых компонентов, компании «Микран» удалось создать детекторы, которые по большинству технических характеристик не уступают аналогам, а по отдельным параметрам превосходят их.
Детекторы Д42
На эквивалентной схеме на рис. 1 диод в зависимости от включения будет выполнять детектирование положительных или отрицательных полуволн входного СВЧ-сигнала. Для детектирования обеих полуволн необходимо включить в схему второй диод и конденсатор. В этом случае выходное напряжение и чувствительность по напряжению будут в два раза больше по сравнению с однодиодным детектором (рис. 11).
По аналогии с рис. 1 сопротивление R1 выполняет функцию согласования импедансов. На частотах свыше 10 ГГц значимым оказывается влияние эквивалентных емкостей диодов, через которые происходит шунтирование части входного сигнала. Включение резисторов R2 и R3 позволяет существенно уменьшить этот эффект, при этом чувствительность по напряжению уменьшается незначительно [11].
Детекторы Д42 включают в себя термистор (R4 на рис. 11), который расположен в непосредственной близости к диодам. Включение термистора в цепь внешнего делителя напряжения позволяет отслеживать изменение температуры и выполнять температурную коррекцию показаний детекторов. На рис. 12 показан детектор Д42–18 с входным коаксиальным соединителем типа N (вилка). Аналогичные детекторы с различными коаксиальными соединителями (тип 3,5 мм (вилка), тип 2,4 мм (вилка)) входят в состав скалярных анализаторов цепей компании «Микран» серии Р2М с частотными диапазонами до 4 ГГц, 20 ГГц и 40 ГГц.
На рис. 13 представлены частотные характеристики детекторов Д42–20, на рис. 14 — зависимости выходного напряжения от мощности.
В табл. 3 приведены основные характеристики детекторов серий Д5 и Д42 [12].
|
|
Д5А-20 |
Д5А-50 |
Д42-20 |
Д42-50 |
|
Частотный диапазон, ГГц |
0,01–20 |
0,01–50 |
0,01–20 |
0,01–40 |
|
Неравномерность АЧХ, дБ |
±0,6 |
±0,3 до 18 ГГц, ±0,6 до 26,5 ГГц, ±1 до 40 ГГц, ±2 до 50 ГГц |
±0,5 до 12 ГГц, ±0,8 до 20 ГГц |
±0,8 до 20 ГГц, ±2 до 40 ГГц |
|
КСВН входа |
1,25 |
1,2 до 18 ГГц, 1,25 до 26,5 ГГц, 2 до 40 ГГц, 2,5 до 50 ГГц |
1,2 |
1,2 до 18 ГГц, 1,25 до 26,5 ГГц, 2 до 40 ГГц |
|
Максимальная входная мощность, дБм |
+25 |
+25 |
+23 |
+23 |
Детекторы серии Д42 поставляются с индивидуальным текстовым файлом детекторной характеристики, в котором выходное напряжение сопоставляется с входной мощностью. Столбцы напряжений и соответствующих уровней мощности представлены для всех частот рабочего диапазона с шагом 100 МГц.
Применение детекторов
Детекторы мощности широко используются в различных радиотехнических системах, могут выступать как отдельные измерительные блоки для контроля мощности источников сигналов, а также в составе различных устройств. Нередко детекторы применяются в качестве основных преобразовательных элементов ваттметров СВЧ. Помимо этого, детекторы включают в системы контроля мощности генераторов и синтезаторов СВЧ. Благодаря широкой полосе рабочих частот, высокой чувствительности по напряжению и малому времени реакции, детекторы серии Д5 хорошо подходят для схем автоматической регулировки мощности (АРМ) (рис. 15).
Совместно с направленными ответвителями компании «Микран» [13] детекторы серии Д5 могут применяться в схемах АРМ с частотным диапазоном от 500 МГц до 50 ГГц.
Монолитные интегральные схемы
В компании «Микран» организовано производство бескорпусных монолитных интегральных схем различного назначения: коммутаторы, аттенюаторы, усилители, фазовращатели [14]. Интегральные схемы детекторов разделены на две категории: детекторы поглощаемой мощности и проходящей мощности. Последние предназначены для включения в разрыв микрополосковой линии и обеспечивают детектирование проходящей мощности с вносимыми потерями не более 2,1 дБ в диапазоне частот до 50 ГГц [15]. МИС детекторов поглощаемой мощности MD903 реализуют функции детекторов Д42 на одном кристалле и могут применяться в составных блоках СВЧ. Для задач радиометрии и других применений, где важно детектирование в квадратичном участке, подойдут МИС MD901, содержащие два каскада детектирования и обеспечивающие квадратичный участок детектирования в диапазоне мощностей от –50 дБм до 20 дБм (от 10 нВт до 100 мВт). Более подробная информация по МИС детекторов представлена на сайте [15] и в работах [16, 17].
Заключение
Детекторы высокочастотных сигналов используются для построения измерительных комплексов, в лабораторных исследованиях, для радиометрии, в приборостроении, включая системы подстройки мощности. Детекторы мощности компании «Микран» по совокупности характеристик не уступают зарубежным аналогам и уже зарекомендовали себя на российском рынке.
В статье представлены основные технические характеристики, способ расчета времени реакции, детекторные характеристики для разных вариантов внешних нагрузок. Это поможет подобрать необходимый детектор в зависимости от требований частных задач. Приведены краткие сведения по низкобарьерным диодам и монолитным интегральным схемам, производимым на собственной фабрике компании «Микран».
- Билько М. И., Томашевский А. К., Шаров П. П. Измерение мощности на СВЧ. М.: «Советское радио». 1976.
- http://www.micran.ru/productions/Accessory/detector/
- http://www.micran.com/sites/micran_eng/data/UserFile/pdf/mmic/ZB‑28.pdf
- Юнусов И. В., Ющенко А. Ю., Плотникова А. М., Арыков В. С., Загородний А. С. Сверхвысокочастотные низкобарьерные детекторные диоды на основе p‑n‑перехода//Физика. 2012. № 9/2.
- Keysight Technologies HSCH‑9161 GaAs Detector Diode. Data Sheet.
- ГОСТ 25529–1982 (СССР) «Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров». М.: Изд-во стандартов. 1987.
- Agilent Fundamentals of RF and Microwave Power Measurements (Part 2). Application Note 1449–2.
- http://krytar.com/products/detectors/zero-bias-schottky-detectors/
- Keysight 8474E Planar-Doped Barrier Diode Detectors. Data Sheet.
- http://www.herotek.com/datasheets/protoc.html#DETECTORS.
- Patent US 5204613; Apr. 20, 1993. RF power sensor having improved linearity over greater dynamic range/Allen T. R., Cripps S. C.
- http://www.micran.ru/sites/micran_ru/tmpl/micran_ru/inc/pdf/KIA_i_SVCh_rus_101.pdf
- http://www.micran.ru/productions/Accessory/coupler/
- http://www.micran.ru/productions/MIS/
- http://www.micran.ru/productions/Diod/MD902/
- Zagorodny A. S., Voronin N. N., Yunusov I. V., Gushchin V. A. Ultrawideband power detector GaAs MMIC’s. Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, 15th International Conference of Young Specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM), Novosibirsk, 2014.
- Zagorodny A. S., Yunusov I. V., Drozdov A. Y., Drobotun N. B., Voronin N. N.. 0.01–50 GHz Power Detector MMICs. Microwave Symposium (MMS), 2015 IEEE 15th Mediterranean. Lecce, Italy















7 декабря, 2020
7 июля, 2020
15 августа, 2022
Добрый день, а в какой программе производилось моделирование?
Основные этапы моделирования проводились в Advanced Design System