АО «НИИЭТ» приступает к реализации нового проекта по импортозамещению

Специалисты АО «НИИЭТ» (входит в ГК «Элемент») работают над созданием серии из пяти мощных импульсных СВЧ LDMOS-транзисторов, оптимизированных для функционирования в определенном диапазоне частот, характерном для конкретной системы авиационного бортового оборудования. В основе — новейшая отечественная LDMOS-технология, использующая все достижения отечественной микроэлектроники в данной области за последние годы и отработанная в ходе выполнения проводимых за счет собственных средств НИР и реализации комплексного проекта, субсидированного из федерального бюджета. Мощный импульсный ...

Разработка GаN-транзисторов

АО «НИИЭТ» разработал и серийно поставляет ряд мощных СВЧ-транзисторов и ГИС на основе нитрид-галлиевых гетероструктур с высокой подвижностью электронов. Номенклатура созданных изделий имеет выходную мощность 0,12–400 Вт и перекрывает частотный диапазон 0,03–12 ГГц. На этапе освоения производства находится линейка силовых транзисторов с напряжением сток-исток 100, 200 и 650 В.

Мощные GaN-транзисторы для L- и S-диапазонов частот

В статье представлены основные технические характеристики разработанных мощных нитрид- галлиевых транзисторов с рабочим напряжением питания 28 В для L- и S-диапазонов частот, а также технические характеристики широкополосного усилительного паллета на основе GaN-транзистора ПП9137А. Нитрид- галлиевые транзисторы обеспечивают высокие значения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полез...