Проектирование усилителей мощности на основе нитрида галлия на кремнии (GaN/Si) с использованием технологии компании OMMIC
В статье рассматриваются результаты проектирования и испытаний МИС СВЧ усилителя мощности, работающего на частотах около 40 ГГц и изготовленного с использованием нитрида галлия на кремнии с шириной затвора 100 нм. Представленный в статье усилитель работает в Ku-диапазоне с обеспечением усиления 20 дБ, выходной мощности 14 Вт при компрессии 4,5 дБ и КПД до 30%. Такая величина выходной мощности д... 