Усилитель X-диапазона с выходной импульсной мощностью не менее 50 Вт

Разработан усилитель Х-диапазона длин волн, обеспечивающий выходную импульсную мощность не менее 50 Вт с коэффициентом усиления 20 дБ. Выполнено суммирование мощности четырех каналов, в согласующих цепях применена керамика с высокой диэлектрической проницаемостью. СВЧ-часть усилителя выполнена на комплектации АО «НПП «Исток» им. А.И. Шокина». Приведены результаты измерений мощного СВЧ-транзистора.

Эволюция радиочастотных соединителей для электроники СВЧ. В поиске компромиссных решений.
Часть 2. Соединители SMP

В статье рассмотрены конструктивные и электрические параметры соединителей SMP, показано влияние коаксиальной линии соединителя на его предельную частоту и допустимую пропускаемую мощность. Рассмотрены основные направления эволюции соединителей SMP: миниатюризация, расширение диапазона рабочих частот, повышение надежности соединения вилки и розетки, увеличение допустимой пропускаемой мощности. ...

Эволюция радиочастотных соединителей для электроники СВЧ. В поиске компромиссных решений.
Часть 1. Соединители SMA

В статье рассмотрены конструктивные и электрические параметры соединителей SMA. Показано влияние коаксиальной линии соединителя на его волновое сопротивление, предельную частоту и допустимую пропускаемую мощность. Рассмотрены основные направления эволюции соединителей SMA: миниатюризация, расширения диапазона рабочих частот, повышение удобства и скорости соединения вилки и розетки, увеличение д...

Усовершенствование антенных систем с АФАР.
Решение компании «Ленинградские микроволны»

В статье представлен универсальный управляющий кристалл для приемопередающих модулей радиоэлектронных комплексов с АФАР в 3‑см диапазоне длин волн, разработанный предприятием «Ленинградские микроволны».

VIII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника и микроэлектроника СВЧ»

Начиная с 2012-го конференция проводится ежегодно по инициативе Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» (СПбГЭТУ) Министерства образования и науки Российской Федерации и АО «НПП «Исток» им. Шокина». Время проведения: 3–6 июня 2019 года. Место проведения: Санкт-Петербург, СпбГЭТУ (ЛЭТИ) (ул. Профессора Попова, д. 5). Основная цель конференции — организация площадки для профессионального обмена мнениями, техническими и технологическими решениями между представителями ведущих российских вузов, институтов РАН и промышленности. Здесь эксперты ...