Мощный СВЧ-усилитель и приемо-передающий чип от компании OMMIC Ка-диапазона частот

В статье представлены две монолитные интегральные схемы (МИС), разработанные и изготовленные с помощью 100-нм технологического процесса D01GH от компании OMMIC, основанного на нитриде галлия на кремнии. Первая МИС — это 29–33 ГГц усилитель мощности с импульсной мощностью 10 Вт и средней мощностью 8 Вт. Вторая МИС представляет собой 26–34-ГГц приемо-передающий чип, включающий малошумящий усилите...

Гетероструктуры на основе нитрида галлия (GaN) и технологии компании OMMIC на их основе

Развитие техники, увеличение требований заказчиков к техническим характеристикам изделий и общемировые тенденции делают крайне необходимым развитие технологий по выращиванию гетероструктур на основе нитрида галлия. В статье рассматриваются преимущества применения этих технологий в современных СВЧ-приборах, области применения, перспективы и тенденции дальнейшего совершенствования этих гетеростру...