GaAs FET
Арсенид-галлиевый полевой транзистор. Транзистор этого типа предназначен для усиления сигналов СВЧ и других высоких частот, поскольку скорость электронов в нем примерно в пять раз выше, чем у кремниевых полевых транзисторов.
Возможности современного оборудования МТУСИ
1 декабря, 2021
В учебных лабораториях Московского технического университета связи и информатики (МТУСИ) проходит модернизация установок кафедры «Техническая электродинамика и антенны». Современное оборудование позволит осуществлять исследования, не имеющие аналогов во всем мире. Ранее студенты, изучающие курс «Основы теории электромагнитных полей», проводили настройку линии в режим бегущей волны с использованием одной частотной точки. Сейчас инновационное оборудование позволяет обучающимся использовать […]Моделирование эталонных отражателей, используемых при построении радиолокационного изображения спутников
7 июля, 2020
Известны различные варианты отражателей [3, 4], предназначенных для калибровки радиолокационных станций, например металлические сферы или уголковые отражатели. Металлические сферы являются удобными эталонными рассеивателями, эффективную площадь рассеивания (ЭПР) которых можно точно вычислить. В силу симметрии рассеяния ЭПР у сферы постоянна и не зависит от длины волны излучаемой РЛС (при условии, что радиус сферы больше длины волны). […]Гетероструктуры на основе нитрида галлия (GaN) и технологии компании OMMIC на их основе
17 июня, 2020
Развитие техники, увеличение требований заказчиков к техническим характеристикам изделий и общемировые тенденции делают крайне необходимым развитие технологий по выращиванию гетероструктур на основе нитрида галлия. В статье рассматриваются преимущества применения этих технологий в современных СВЧ-приборах, области применения, перспективы и тенденции дальнейшего совершенствования этих гетероструктур.