НЕМТ-транзисторы

Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — транзистор, в котором используется двумерный электронный газ, индуцированный в месте контакта двух полупроводников с разной шириной запрещенной зоны. Эти транзисторы формируют канал с высокой концентрацией электронов, в котором можно пренебречь эффектами рассеяния на примесях.